Hochspannungs-Widerstand-MOSFET R6024WNJ2

HochgeschwindigkeitSilizium

Überblick
Der R6024WNJ2 ist ein 600 V N‑Kanal PrestoMOS™ Super Junction MOSFET im flachen Surface‑Mount‑Gehäuse TOLL. Er verbindet niedrigen Durchlasswiderstand mit schneller Rückwärts‑Erholung (trr) und eignet sich für Schaltanwendungen mit hoher Leistungsdichte wie Netzteile für AI‑Server und Industrieanlagen. Die Gate‑Schwellenspannung liegt bei etwa 3–5 V und deckt gängige Treibbedingungen ab. Verbesserte Admittanzeigenschaften reduzieren Verluste gegenüber früheren Serien und erhöhen die Einsatzflexibilität.

Eigenschaften

• Schnelle Rückwärts‑Erholzeit (trr) zur Verringerung der Schaltverluste
• Niedriger Durchlasswiderstand (RDS(on))
• Hohe Schaltgeschwindigkeit
• Einfache Treiberschaltungen erforderlich (empfohlene Treiberspannung 10 V)
• Blei‑freies Finish; RoHS‑konform
• Halogenfreier Formstoff

Anwendungsbeispiele

• Netzteile für AI‑Server und Rechenzentren
• Netzteile für Industrie‑ und Consumer‑Geräte (LLC, PFC, Flyback etc.)
• Motorantriebe und Inverter für Lüfter, AC‑Servos und ähnliche Anwendungen

Package / Bestellübersicht
Teilenummer | R6024WNJ2TRDC
Status | Empfohlen
Gehäuse | TOLL (MO‑299)
Verpackungsart | Taping
Einheitenmenge | 2000
Minimale Gehäusemenge | 2000
RoHS | Ja
MSL | 1

Technische Daten

• Modellbezeichnung: R6024WNJ2
• Teilenummer (Bestellcode): R6024WNJ2TRDC
• Package‑Code: TOLL (MO‑299)
• Anwendungen: Switching
• Anzahl Anschlüsse: 9
• Polarität: N‑Kanal
• Drain‑Source Spannung VDS: 600 V
• Drain‑Strom ID: 72 A
• RDS(on) [Ω] (VGS = 10 V, Typ): 0,127 Ω
• Gesamte Gate‑Ladung Qg: 35 nC
• Leistungsdissipation PD: 245 W
• Treiberspannung (empfohlen): 10 V
• trr (Typ.): 74 ns
• Montageart: Surface mount
• Lagerungstemperatur: -55 ℃ (Min) bis 150 ℃ (Max)
• Gehäuseabmessungen: 11.68 x 9.9 mm (t = 2.4 mm)