Hochspannungs-Widerstand-MOSFET R6055XNJ2

HochgeschwindigkeitHalbleiterSilizium

Übersicht
Der R6055XNJ2 ist ein 600 V Super‑Junction N‑Kanal Leistungs‑MOSFET, ausgelegt für Hochgeschwindigkeits‑Schaltanwendungen. Er vereint niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schaltverhalten in einem kompakten TOLL‑SMD‑Gehäuse mit guter Wärmeabfuhr und marktüblicher Footprint‑Kompatibilität. Die Gate‑Schwellenspannung liegt typischerweise bei 3–5 V, wodurch eine breite Ansteuerbarkeit gegeben ist.

Eigenschaften

• Niedriger RDS(on) (Typ. 0,057 Ω @ VGS = 10 V)
• Extrem schnelles Schaltverhalten
• Einfache Treiberschaltungen möglich (empfohlene Ansteuerspannung 10 V)
• Bleifreie Beschichtung; RoHS‑konform
• Halogenfreie Vergussmasse

Anwendungen

• Schaltelelemente in der Leistungswandlung
• Netzteile für KI‑Server und Rechenzentren
• Netzteile für Industrie‑ und Verbraucheranwendungen (LLC, PFC, Flyback usw.)
• Motorantriebe und Inverter (Lüfter, AC‑Servos usw.)

Produktinformation
Part Number | R6055XNJ2TRDC
Status | Empfohlen
Package | TOLL (MO‑299)
Packing Type | Taping
Unit Quantity | 2000
Minimum Package Quantity | 2000
RoHS | Ja
MSL | 1

Technische Spezifikationen

• Gerätetyp: Super‑Junction MOSFET, Hochgeschwindigkeits‑Schalttyp
• Polarität: N‑Kanal
• Drain‑Source‑Spannung (VDS): 600 V
• Drainstrom (ID): 165 A
• RDS(on) (Typ.) @ VGS = 10 V: 0,057 Ω
• Gesamte Gate‑Ladung Qg (Typ.): 67 nC
• Verlustleistung (PD): 521 W
• Empfohlene Ansteuerspannung: 10 V
• trr (Typ.): 372 ns
• Anzahl der Anschlüsse: 9
• Montageart: Surface mount (SMD)
• Lagerungstemperatur: -55 °C bis 150 °C
• Gehäuseabmessungen: 11,68 × 9,9 mm (t = 2,4 mm)