Hochgeschwindigkeit-MOSFET R6035WNJ2

Hochspannungs-Widerstandnicht angegeben

Überblick
Der R6035WNJ2 ist ein 600 V PrestoMOS™ Super Junction N-Kanal MOSFET im flachen TOLL (MO-299) SMD-Gehäuse. Er verbindet niedrigen Einschaltwiderstand mit schnellen Schalt-/Erholungswerten und eignet sich für hochdichte Schaltleistungsanwendungen mit Gate-Schwellenwerten im Bereich 3–5 V.

Entwicklungshintergrund
Steigende Leistungsanforderungen und Platzbeschränkungen in AI-Servern, Rechenzentren und Industrieanlagen erfordern höhere Leistungsdichte sowie geringere Leitungs- und Schaltverluste. Der R6035WNJ2 adressiert diese Anforderungen durch verbesserte Admittanz- und Wärmeleistung in einem kompakten SMD-Gehäuse bei hoher Kompatibilität zu gängigen Treiberspezifikationen.

Anwendungsbeispiele

• Netzteile für AI-Server und Rechenzentren
• Netzteile für Industrie- und Konsumgeräte (LLC, PFC, Flyback)
• Motorantriebe und Wechselrichter für Lüfter, AC-Servos und ähnliche Lasten

Eigenschaften

• Schnelle Sperrverzögerungszeit (trr)
• Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on))
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit, reduzierte Schaltverluste
• Einfache Treiberschaltungen (VGS-Bereich kompatibel mit Standardtreibern)
• Blei-freie Beschichtung; RoHS-konform
• Halogenfreies Formmassen-Compound

Technische Daten

• Teilenummer: R6035WNJ2TRDC
• Status: Empfohlen
• Handelsbezeichnung: R6035WNJ2
• Gehäuse: TOLL (MO-299)
• Verpackungsart: Taping
• Stückzahl pro Einheit: 2000
• Mindestverpackungsmenge: 2000
• RoHS: Ja
• MSL: 1
• Package Code: TOLL (MO-299)
• Anwendungen: Schaltanwendungen
• Anzahl der Anschlüsse: 9
• Polarität: N-Kanal
• Drain-Source-Spannung (VDS): 600 V
• Drainstrom (ID): 105 A
• RDS(on) Typ (VGS=10V): 0,095 Ω (95 mΩ)
• Gesamte Gate-Ladung (Qg): 46 nC
• Verlustleistung (PD): 347 W
• Ansteuerspannung: 10 V
• trr (Typ.): 85 ns
• Montageart: Surface mount
• Lagerungstemperatur: -55 ℃ (Min) bis 150 ℃ (Max)
• Gehäuseabmessungen: 11.68 x 9.9 mm (t = 2.4)