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... Unser Portfolio von breiten und tiefen Power- MOSFETs enthält lineare und Sperrmodus- MOSFETs, die den Branchenstandard für Hochspannungs, hochleistungsfähige und diskrete MOSFET setzt Anwendungen ...
... Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs im Bare-Die-Format anbieten zu können - optimiert für den Einsatz in Hochleistungsanwendungen wie EV-Traktionswechselrichtern, DC-DC-Wandlern und Off-Board-Ladegeräten. Basierend auf der neuesten Generation ...
... SCT4036KW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench- MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile von ROHMs SiC MOSFETs ...
... SEMICONDUCTOR CDM2205-800FP ist ein 800 Volt N-Kanal- MOSFET, der für schnell schaltende Hochspannungsanwendungen wie Power Factor Correction (PFC), Beleuchtung und Leistungsumrichter entwickelt wurde. Dieser MOSFET kombiniert ...
... Hohe Spannung Hohe Überspannungsfestigkeit 3000VRMS isolierende Spannung Industrielles Standardgehäuse UL-Zulassung E320098 Glaspassivierte Chips Niedriger thermischer Widerstand Entwickelt und qualifiziert für den industriellen Einsatz RoHS-konform Anwendungen ...
Nell Power Semiconductor Co. Ltd.
... RVS47N60PN/PT ist ein N-Kanal-Hochspannungs- MOSFET im Anreicherungsmodus, der auf der neuen Plattform der Rongtech-Mos-Technologie basiert. Er erreicht niedrige Leitungsverluste und Schaltverluste. Er ermöglicht den Konstrukteuren die ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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