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Unser Portfolio von breiten und tiefen Power-MOSFETs enthält lineare und Sperrmodus-MOSFETs, die den Branchenstandard für Hochspannungs, hochleistungsfähige und diskrete MOSFET setzt Anwendungen
... bietet ein umfangreiches Portfolio von 12- bis 300-VDSS-MOSFETs in verschiedenen Gehäusen an, von ultrakleinen Gehäusen für Kleinsignalanwendungen bis hin zu Gehäusen für Großstromanwendungen. Die MOSFETs ...
Toshiba America Electronics Components
... Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs im Bare-Die-Format anbieten zu können - optimiert für den Einsatz in Hochleistungsanwendungen wie EV-Traktionswechselrichtern, DC-DC-Wandlern und Off-Board-Ladegeräten. Basierend auf der neuesten ...
... SCT4036KW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile von ROHMs SiC MOSFETs ...
... 650 ist ein Hochstrom-N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 650 Volt, der für schnell schaltende Hochspannungsanwendungen wie Power Factor Correction (PFC), Beleuchtung und Leistungsumrichter entwickelt wurde. Dieser MOSFET ...
Central Semiconductor
... Hohe Spannung Hohe Überspannungsfestigkeit 3000VRMS isolierende Spannung Industrielles Standardgehäuse UL-Zulassung E320098 Glaspassivierte Chips Niedriger thermischer Widerstand Entwickelt und qualifiziert für den industriellen Einsatz RoHS-konform Anwendungen ...
Nell Power Semiconductor Co. Ltd.
... RVS47N60PN/PT ist ein N-Kanal-Hochspannungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, der auf der neuen Plattform der Rongtech-Mos-Technologie basiert. Er erreicht niedrige Leitungsverluste und Schaltverluste. Er ermöglicht den Konstrukteuren ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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