Erreichen Sie das ganze Jahr über neue Kunden an einem einzigen Ort
Aussteller werden
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
... Elektrifizierung von Fahrzeugen erfordert MOSFETs, die kurzfristige Hochleistungsbelastungen in Sicherheitssystemen verkraften. ROHM übertrug Wide-SOA-Designmethoden aus Industrie- und Rechenzentrumsprodukten auf diesen Automotive- MOSFET, ...
ROHM Semiconductor
... Produktbeschreibung
Dieser SiC-
MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse für Surface-Mount-Anwendungen verfügt über eine Oberseiten‑Wärmeableitungsstruktur, bei der die wärmeführende Fläche oben auf dem Gehäuse liegt. Dadurch ist automatisiertes ...
ROHM Semiconductor
... Produktübersicht
Der SiC‑
MOSFET SCT4062KTWHR im TSC3PAK wurde für Hochspannungs‑Leistungswandlung und Schaltanwendungen entwickelt. Das Bauteil kombiniert niedrigen ON‑Widerstand mit schneller Schaltfähigkeit zur Reduzierung ...
ROHM Semiconductor
... Übersicht
Dieser SiC-
MOSFET wird im TSC3PAK-Gehäuse für SMD geliefert und verfügt über eine obenliegende Wärmeableitungsfläche sowie eine proprietäre Nutstruktur, die einen Kriechstromabstand von 6,66 mm gewährleistet. Das Bauteil ...
ROHM Semiconductor
... Produktübersicht
Dieses Bauteil ist ein SiC-
MOSFET im TSC3PAK-SMD-Gehäuse. Die oberseitige Wärmeableitungsstruktur platziert die wärmeführende Fläche auf der Gehäuseoberseite, wodurch automatische Bestückung möglich ist und ...
ROHM Semiconductor
... Übersicht
Dieser SiC-
MOSFET im TSC3PAK-SMD-Gehäuse verfügt über eine Oberseiten-Wärmeableitung und bietet thermische Leistungen, die mit Through-Hole-Gehäusen vergleichbar sind, bei gleichzeitiger Eignung für automatisierte ...
ROHM Semiconductor
... Produktbeschreibung
Dieses Produkt ist ein SiC-
MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse mit Top-Side-Wärmeableitung. Das Gehäuse platziert die Wärmeableitungsfläche oben und erzielt dadurch eine Wärmeableitungsleistung, die mit TO-247-ähnlichen ...
ROHM Semiconductor
... Produktbeschreibung
Dieses Produkt ist ein SiC-
MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer oberen Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche oben auf dem Gehäuse befindet, erreicht TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, ...
ROHM Semiconductor
... Produktbeschreibung
Dieses Produkt ist ein SiC-
MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Durch die Verwendung einer Oberseiten-Wärmeableitungsstruktur, bei der die Wärmeableitungsfläche auf der Oberseite des Gehäuses liegt, ermöglicht das ...
ROHM Semiconductor
... Übersicht
Der SCT4065DTWHR ist ein SiC-
MOSFET im TSC3PAK-Surface-Mount-Gehäuse, entwickelt für Hochspannungs-Leistungsumwandlung. Das Gehäuse nutzt eine obere Wärmeabfuhrstruktur, bei der die Kühlfläche oben am Gehäuse liegt, ...
ROHM Semiconductor
... entwickelt, bieten mSiC®
MOSFETs eine stabile Body‑Diode, lange Oxidlebensdauer sowie branchenführende Avalanche‑ und Kurzschlussleistung zur Erhöhung der Systemzuverlässigkeit und Verfügbarkeit.
Hochleistungs‑diskrete SiC‑MOSFETs
Unser ...
Erreichen Sie das ganze Jahr über neue Kunden an einem einzigen Ort
Aussteller werdendie besten Anbieter für Sie aus