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Hochspannungs-Widerstand-MOSFET SCT4090KTW
HochgeschwindigkeitSiCfür Automobilanwendungen

Hochspannungs-Widerstand-MOSFET - SCT4090KTW - ROHM Semiconductor - Hochgeschwindigkeit / SiC / für Automobilanwendungen
Hochspannungs-Widerstand-MOSFET - SCT4090KTW - ROHM Semiconductor - Hochgeschwindigkeit / SiC / für Automobilanwendungen
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Eigenschaften

Merkmal
Hochspannungs-Widerstand, Hochgeschwindigkeit, SiC, für Automobilanwendungen
Material
Siliziumkarbid

Beschreibung

Produktbeschreibung
Dieser SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse für Surface-Mount-Anwendungen verfügt über eine Oberseiten‑Wärmeableitungsstruktur, bei der die wärmeführende Fläche oben auf dem Gehäuse liegt. Dadurch ist automatisiertes Bestücken möglich, während die thermische Leistung mit herkömmlichen Through‑Hole‑Gehäusen vergleichbar bleibt. Die proprietäre Grabenstruktur von ROHM gewährleistet einen Kriechweg von 6,66 mm und ermöglicht die Unterstützung von AC‑Spitzenspannungen bis 1200 V in Umgebungen der Verschmutzungsstufe 2. Das Bauteil bietet niedrigen Einschaltwiderstand und schnelle Schaltvorgänge zur Reduzierung von Schaltverlusten und zur Verbesserung der Effizienz in Leistungswandlern. Typische Anwendungen: On‑Board‑Charger und elektrische Kompressoren in xEVs, PV‑Wechselrichter sowie Server‑Netzteile.

Produktkennzahlen / Verpackung
  • Teilenummer: SCT4090KTWTCR
  • Status: Empfohlen
  • Gehäuse: TSC3PAK (Oberseiten‑Wärmeableitung)
  • Verpackungsart: Taping
  • Stückzahl pro Einheit: 600 / Rolle
  • Mindeststückzahl pro Packung: 600
  • RoHS: Ja
  • MSL: 1


Eigenschaften
  • Großer Kriechweg: min. 6,66 mm (ROHM Grabenstruktur)
  • Niedriger Einschaltwiderstand (Rds(on) typ. 90 mΩ)
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit, verringerte Schaltverluste
  • Schnelle Sperrerholzeit
  • Einfache Parallelschaltung
  • Einfache Ansteuerung
  • Zinn‑Beschichtung ohne Blei; RoHS konform


Technische Spezifikationen
  • Modell: SCT4090KTWTCR
  • Drain‑Source Spannung (Vdss): 1200 V
  • Drain‑Source Einschaltwiderstand (Rds(on)) (Typ.): 90 mΩ
  • Generation: 4th Gen (Trench)
  • Drainstrom (Id): 18 A
  • Totale Verlustleistung (Pd): 81 W
  • Junction‑Temperatur (Tj max): 175 °C
  • Lagerungstemperatur: -40 °C bis 175 °C
  • Gehäuseabmessungen: 14,0 x 18,58 mm (t = 3,625 mm)
  • Gehäusetyp: 9‑poliges SMD (TSC3PAK) mit Oberseiten‑Wärmeableitung
  • Kriechweg: 6,66 mm (unterstützt AC peak 1200 V in Pollution Degree 2)


Typische Anwendungen
  • xEV: On‑Board‑Charger, elektrische Kompressoren
  • PV‑Wechselrichter
  • Server‑ und Telekom‑Netzteile

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