Siliziumkarbid-MOSFET SCT4045DTWHR

für AutomobilanwendungenHochspannungs-WiderstandHochgeschwindigkeit

Produktübersicht
Dieser SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse verfügt über eine wärmeableitende Oberfläche an der Oberseite, die eine mit Durchsteckgehäusen vergleichbare thermische Leistung ermöglicht und gleichzeitig das Oberflächenmontage-Design beibehält. ROHMs proprietäre Grabenstruktur sichert eine Kriechstrecke von 6,66 mm und unterstützt eine AC-Spitzenspannung von 1200 V in Pollution Degree 2-Umgebungen. Das Bauteil bietet niedrigen RDS(on) und hohe Schaltgeschwindigkeit zur Reduzierung von Schaltverlusten und zur Verbesserung der Effizienz in Leistungswandlerschaltungen. Typische Anwendungen sind Onboard-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs sowie PV-Wechselrichter und Servernetzteile.

Anwendungsbeispiele

• Automotive: Onboard-Ladegeräte (OBC), elektrische Kompressoren
• Industrie / Energie: PV-Wechselrichter, Servernetzgeräte

Produkteigenschaften

• AEC-Q101 qualifiziert (Automotive Grade)
• Große Kriechstrecke: min. 6,66 mm (unterstützt 1200 V AC Spitze bei Pollution Degree 2)
• Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on) typ. 45 mΩ)
• Schnelle Schalt- und schnelle Reverse-Recovery-Eigenschaften
• Einfach parallelisierbar und leicht anzusteuern
• Blei-freie Beschichtung; RoHS-konform

Produktdetails
Teilenummer | SCT4045DTWHRTCR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSC3PAK
Verpackungsart | Taping
Einheitenmenge | 600
Mindestverpackungsmenge | 600
RoHS | Ja
MSL | 1

Technische Spezifikationen

• Drain-source Spannung (Vds): 750 V
• Drain-source Einschaltwiderstand (typ.) RDS(on): 45 mΩ
• Generation: 4th Gen (Trench)
• Drainstrom (Id): 33 A
• Totale Verlustleistung: 106 W
• Junction-Temperatur (max.): 175 °C
• Lagerungstemperatur (min.): -40 °C
• Lagerungstemperatur (max.): 175 °C
• Gehäuseabmessungen: 14.0 x 18.58 mm (t = 3.625 mm)
• Norm: AEC-Q101 (Automotive Grade)