Hochspannungs-Widerstand-MOSFET SCT4062KTW

Hochgeschwindigkeitfür AutomobilanwendungenSiC

Übersicht
Dieser SiC-MOSFET wird im TSC3PAK-Gehäuse für SMD geliefert und verfügt über eine obenliegende Wärmeableitungsfläche sowie eine proprietäre Nutstruktur, die einen Kriechstromabstand von 6,66 mm gewährleistet. Das Bauteil unterstützt eine AC-Spitzenspannung von 1200 V in Verschmutzungsgrad-2-Umgebungen, bietet niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit und ist für hocheffiziente Leistungswandlungen in industriellen Anwendungen ausgelegt.

Hauptmerkmale

• Großer Kriechstromabstand: min. 6,66 mm
• Niedriger Drain-Source Einschaltwiderstand (Typ. 62 mΩ)
• Schnelle Schalt- und schnelle Sperrerholzeit
• Einfach parallel schaltbar und leicht anzusteuern
• Oberseiten-Wärmeableitung kompatibel mit automatisiertem SMT
• Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform

Gehäuse & Wärme
Das TSC3PAK-SMD-Gehäuse mit oberseitiger Wärmeableitung erreicht eine vergleichbare Wärmeabfuhr wie herkömmliche Through-Hole-Gehäuse (TO-247-Klasse) und ermöglicht die automatisierte SMT-Bestückung. Die Nutstruktur verbessert die Kriechstromstrecke und die Isolationszuverlässigkeit in Hochspannungssystemen.

Anwendungen

• Onboard-Ladegeräte (OBC) und elektrische Kompressoren in xEVs (siehe Hinweis zur Nutzung im Automobilbereich)
• PV-Wechselrichter und erneuerbare Energieumrichter
• Server-Netzteile und industrielle Hochleistungsschaltnetzteile

Zusätzliche Informationen
Teil der 4. Generation der ROHM SiC-MOSFETs (Trench) mit niedrigem Rds(on) und hoher Schaltgeschwindigkeit zur Reduzierung von Schaltverlusten. Wichtiger Hinweis: Dieses Produkt ist STANDARD GRADE und wird für sicherheitskritische Automotive-Anwendungen nicht empfohlen.

Technische Daten

• Teilenummer: SCT4062KTWTCR
• Modellname: SCT4062KTW
• Status: Empfohlen
• Gehäuse: TSC3PAK
• Verpackungstyp: Taping
• Einheiten pro Rolle: 600
• Mindestverpackungsmenge: 600
• RoHS: Ja
• MSL: 1
• Drain-Source Spannung (V): 1200 V
• Drain-Source Einschaltwiderstand (Typ.): 62 mΩ
• Generation: 4th Gen (Trench)
• Drainstrom (A): 25 A
• Gesamtverlustleistung (W): 106 W
• Junction-Temperatur (Max.) (°C): 175 °C
• Lagerungstemperaturbereich (°C): -40 bis 175
• Gehäuseabmessungen (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)