Siliziumkarbid-MOSFET SCT4045DTW

für AutomobilanwendungenHochspannungs-WiderstandSiC

Produktübersicht
Dieser SiC-MOSFET (Modell SCT4045DTW) wird im TSC3PAK-SMD-Gehäuse geliefert. Die Top-Side-Wärmeableitungsstruktur erlaubt die automatische Bestückung und erzielt eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Through-Hole-Gehäusen vergleichbar ist. Die proprietäre Nutstruktur von ROHM sichert einen Kriechabstand von mindestens 6,66 mm und unterstützt AC-Spitzenspannungen bis 1200 V in Verschmutzungsgrad-2-Umgebungen. Das Bauteil verwendet ROHMs 4. Generation SiC MOSFET für niedrigen RDS(on) und hohe Schaltgeschwindigkeit zur Steigerung der Leistungswandlungseffizienz.

Hauptmerkmale

• Top-side-Wärmeableitung für SMD-Gehäuse mit thermischer Leistung vergleichbar zu Through-Hole-Typen
• Breiter Kriechabstand: min. 6,66 mm (unterstützt 1200 V AC Spitze bei Verschmutzungsgrad 2)
• Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on))
• Hohe Schaltgeschwindigkeit
• Schnelle Sperrerholzeit
• Einfaches Parallelschalten
• Einfacher Gate-Drive
• Blei-freie Lötbeschichtung; RoHS-konform

Anwendungsbeispiele

• On-Board-Ladegeräte (OBC) und elektrische Kompressoren in xEV
• PV-Wechselrichter
• Server-Netzteile und industrielle hocheffiziente Leistungsgeräte

Gehäuse- & Bauteilinformationen

• Teilenummer (verpackt): SCT4045DTWTCR
• Gehäuse: TSC3PAK (Surface-Mount)
• Verpackungsart: Taping
• Einheiten pro Verpackung: 600
• Mindestverpackungsmenge: 600
• RoHS: Ja
• MSL: 1

Technische Daten

• Modell (kommerzieller Name): SCT4045DTW
• Drain-Source-Spannung (VDS): 750 V
• Drain-Source Einschaltwiderstand (typ.) RDS(on): 45 mΩ
• Generation: 4th Gen (Trench)
• Drainstrom (ID): 33 A
• Totale Leistungsdissipation: 106 W
• Maximale Sperrschichttemperatur (Junction): 175 °C
• Lagertemperaturbereich: -40 bis 175 °C
• Gehäusegröße (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)

Design & Ressourcen

• SPICE/PLECS/PSIM-Modelle, Applikationshinweise und thermische/gehäuserelevante Dokumente verfügbar zur Unterstützung von Thermik-Design, Parallelschaltung und Gate-Drive-Validierung