AEC-Q101-qualifiziertes Produkt für die Automobilindustrie. Der SCT4045DW7HR ist ein SiC (Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile der 4. Generation der SiC-MOSFETs von ROHM
Diese Serie hat einen um 40% geringeren Einschaltwiderstand und einen um 50% geringeren Schaltverlust im Vergleich zu herkömmlichen Produkten. Die 15-V-Gate-Source-Spannung vereinfacht das Anwendungsdesign.
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