Der SCT4026DW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile der 4. Generation der SiC-MOSFETs von ROHM
Diese Serie hat einen um 40% geringeren Einschaltwiderstand und einen um 50% geringeren Schaltverlust im Vergleich zu herkömmlichen Produkten. Die 15-V-Gate-Source-Spannung vereinfacht das Anwendungsdesign.
Niedriger On-Widerstand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Schnelle Rückwärtserholung
Leicht zu parallelisieren
Einfacher Antrieb
Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform
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