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MOSFET-Transistormodul SCT4026DW7SchaltSilizium
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Eigenschaften
- Typ
- MOSFET
- Technologie
- Schalt
- Weitere Eigenschaften
- Silizium
- Strom
51 A
- Spannung
750 V
Beschreibung
Der SCT4026DW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile von ROHMs SiC MOSFETs der 4. Generation
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten einen um etwa 40 % geringeren Einschaltwiderstand und einen um etwa 50 % geringeren Schaltverlust auf. Die 15V-Gate-Source-Spannung erleichtert das Anwendungsdesign.
Kataloge
Power Device Catalog
36 Seiten
Messen
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