MOSFET-Transistor SCT4018KE
SchaltSilizium

MOSFET-Transistor - SCT4018KE - ROHM Semiconductor - Schalt / Silizium
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Schalt
Weitere Eigenschaften
Silizium
Strom

81 A

Spannung

1.200 V

Beschreibung

SCT4018KE ist ein SiC-MOSFET, der zur Miniaturisierung und zum niedrigen Stromverbrauch von Anwendungen beiträgt. Es handelt sich um ein Produkt der 4. Generation, das einen branchenweit führenden niedrigen On-Widerstand erreicht, ohne die Kurzschlussfestigkeit zu beeinträchtigen. Vorteile von ROHMs SiC-MOSFETs der 4. Generation Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten einen um etwa 40 % geringeren Einschaltwiderstand und einen um etwa 50 % geringeren Schaltverlust auf. Die 15V-Gate-Source-Spannung erleichtert das Anwendungsdesign.

Messen

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ELECTRONICA 2026
ELECTRONICA 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle C3 - Stand 520

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