Hochspannungs-Widerstand-MOSFET SCT4020DTWHR
Hochgeschwindigkeitfür AutomobilanwendungenSiC

Hochspannungs-Widerstand-MOSFET - SCT4020DTWHR - ROHM Semiconductor - Hochgeschwindigkeit / für Automobilanwendungen / SiC
Hochspannungs-Widerstand-MOSFET - SCT4020DTWHR - ROHM Semiconductor - Hochgeschwindigkeit / für Automobilanwendungen / SiC
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Eigenschaften

Merkmal
Hochspannungs-Widerstand, Hochgeschwindigkeit, für Automobilanwendungen, SiC, Siliziumkarbid
Material
Siliziumkarbid, SiC, Halbleiter

Beschreibung

Kurzbeschreibung
Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse mit einer Oberseiten-Wärmeableitungsstruktur. Der TSC3PAK erreicht eine thermische Leistung nahe der herkömmlicher Through-Hole-Gehäuse und ermöglicht gleichzeitig die automatisierte Oberflächenmontage. ROHMs Rillenstruktur gewährleistet eine Kriechstrecke von mindestens 6,66 mm und damit die Unterstützung von AC-Spitzenspannungen bis zu 1200 V in Verschmutzungsgrad-2-Umgebungen. Das Bauelement bietet niedrigen Einschaltwiderstand und schnelle Schaltvorgänge zur Reduzierung von Schaltverlusten in Leistungswandlungsschaltungen. Typische Anwendungen sind On-Board-Ladegeräte (OBC) und elektrische Kompressoren für xEVs, PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.

Gehäuse & Mechanik
Gehäuse: TSC3PAK (Oberseiten-Wärmeableitung). Angegebene Gehäuseabmessungen: 14,0 × 18,58 mm (t = 3,625) bzw. an anderer Stelle als 14,00 × 18,58 × 3,50 mm bezeichnet. Das Top-side-Thermalkonzept erlaubt SMT-Bestückung bei annähernder Through-Hole-Wärmeleistung.

Eigenschaften
  • Qualifiziert nach AEC-Q101 (Automotive Grade)
  • Große Kriechstrecke: mind. 6,66 mm (ROHM-Rillenstruktur)
  • Niedriger Drain-Source-Leitungswiderstand (typ. 20 mΩ)
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit und schnelle Rückwärts-Erholzeit
  • Leicht parallelisierbar und einfach anzusteuern
  • Bleifreie Leiteranschichtung; RoHS-konform


Produktkennungen & Verpackung
Teilenummer(n): SCT4020DTWHR (Produkt) / SCT4020DTWHRTCR (Teiledetails). Status: Empfohlen. Verpackungsart: Taping. Anzahl pro Band/Spule: 600. Minimale Verpackungsmenge: 600. RoHS: Ja. MSL: 1.

Unterstützende Informationen (Zusammenfassung)
Datenblatt, Applikationshinweise, thermische Design-Guides und Simulationsmodelle (SPICE, PLECS, PSIM) sind für die Produktfamilie und das TSC3PAK-Gehäuse verfügbar. Die Unterlagen enthalten thermische Leistungsdaten, Gate-Drive-Richtlinien, Empfehlungen zu Snubber-Schaltungen, Maßnahmen gegen Parallelschaltungs-Oszillationen und thermische Messmethoden.

Charakteristiken / Technische Daten
  • Teilenummer (Seite): SCT4020DTWHRTCR
  • Modell: SCT4020DTWHR
  • Drain-Source-Spannung (V): 750 V
  • Drain-Source Einschaltwiderstand (Typ.) [mΩ]: 20 mΩ
  • Generation: 4th Gen (Trench)
  • Drain-Strom [A]: 69 A
  • Max. Verlustleistung [W]: 208 W
  • Junction-Temperatur (Max.) [°C]: 175 °C
  • Lagerungstemperatur [°C]: -40 bis 175
  • Gehäusegröße [mm]: 14,0 × 18,58 (t = 3,625) (TSC3PAK)
  • Kriechstrecke: mind. 6,66 mm (ROHM-Rille)
  • AC-Spitzen-Spannungsunterstützung in Verschmutzungsgrad 2: bis zu 1200 V
  • Norm: AEC-Q101 (Automotive Grade)
  • Verpackung: Taping; Menge pro Reel: 600; Mindestmenge: 600
  • RoHS: Ja; MSL: 1

Kataloge

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electronica Munich 2026
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