MOSFET für Automobilanwendungen SCT4026DTW

SiliziumkarbidSiCHochgeschwindigkeit

Produktübersicht
Der SCT4026DTWTCR ist ein SiC‑MOSFET der 4. Generation (Trench) im TSC3PAK‑Gehäuse mit obenliegender Wärmeableitungsstruktur. Das Gehäuse platziert die Wärmeableitungsfläche auf der Oberseite, sodass eine automatisierte SMT‑Bestückung möglich ist und gleichzeitig eine Wärmeableitung vergleichbar mit Through‑Hole‑Gehäusen erreicht wird. Eine proprietäre Rillenstruktur gewährleistet eine Mindestkriechstrecke von 6,66 mm und unterstützt AC‑Spitzenspannungen bis 1200 V in Verschmutzungsgrad 2. Das Bauteil bietet niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltvorgänge zur Verringerung von Schaltverlusten in Leistungswandlern.

Anwendungsgebiete

• On‑Board‑Ladegeräte (OBC) und elektrische Kompressoren in xEVs
• PV‑Wechselrichter
• Server‑ und Rechenzentrumsnetzteile

Gehäuse / Verpackung
Teilenummer | SCT4026DTWTCR
Status | Recommended
Gehäuse | TSC3PAK (obenliegende Wärmeableitung)
Verpackungsart | Taping
Stückzahl pro Einheit | 600
Mindeststückzahl | 600
RoHS | Ja
MSL | 1

Hauptmerkmale

• Große Kriechstrecke: min. 6,66 mm (Rillenstruktur)
• Obenliegende Wärmeableitung (TSC3PAK) für automatisierte SMT‑Bestückung mit thermischer Leistung vergleichbar zu Through‑Hole‑Gehäusen
• Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on) typ. 26 mΩ)
• Schnelle Schaltvorgänge und schnelle Sperrerholung
• Leicht parallelisierbar zur Erhöhung der Stromaufnahme
• Einfache Gate‑Ansteuerung
• Pb‑freie Beschichtung; RoHS‑konform

Zusätzliche Hinweise
Die obenliegende Wärmeableitung und das Rillen‑Design unterstützen sichere Isolationsabstände und höhere Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen und senken gleichzeitig Montagekosten durch automatisierte SMT‑Prozesse. Produkt der Standardklasse; Einsatz in sicherheitsrelevanten oder automotive‑kritischen Anwendungen vorab prüfen.

Technische Daten

• Teilenummer: SCT4026DTWTCR
• Drain‑Source‑Spannung (VDS): 750 V
• Drain‑Source‑On‑Widerstand (RDS(on), Typ.): 26 mΩ
• Drainstrom (ID): 54 A
• Totale Verlustleistung: 163 W
• Junction‑Temperatur (Max.): 175 °C
• Lagerungstemperatur: -40 °C bis 175 °C
• Gehäuse: TSC3PAK (obenliegende Wärmeableitung)
• Gehäuseabmessungen: 14.0 x 18.58 mm (t = 3.625 mm)
• Kriechstrecke: 6.66 mm (unterstützt 1200 V AC Spitzenwert in Verschmutzungsgrad 2)
• Generation: 4th Gen (Trench) SiC MOSFET
• Stückzahl pro Band: 600
• Mindeststückzahl: 600
• RoHS: Ja
• MSL: 1