SiC-MOSFET SCT4036DTWHR

Hochspannungs-WiderstandHochgeschwindigkeitfür Automobilanwendungen

Übersicht
Dieser SiC-MOSFET im TSC3PAK-SMD-Gehäuse verfügt über eine wärmeableitende Oberflächengestaltung, die eine automatisierte Bestückung ermöglicht und gleichzeitig thermische Leistungen vergleichbar mit Through‑Hole-Gehäusen liefert. Eine proprietäre Nut stellt einen minimalen Kriechweg von 6,66 mm sicher und erlaubt die Unterstützung eines AC-Spitzenwerts von 1200 V in Verschmutzungsgrad-2-Umgebungen. ROHMs 4. Generation SiC-Technologie bietet niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltvorgänge zur Reduzierung von Schaltverlusten und zur Steigerung der Effizienz in Leistungskreisen.

Eigenschaften

• AEC-Q101 qualifiziert (Automotive)
• Großer Kriechweg: min. 6,66 mm (proprietäre Nut)
• Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on) gering)
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit und schnelle Sperrverzögerung
• Einfache Parallelschaltung und einfache Ansteuerung
• Blei-freie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform

Spezifikationen (Zusammenfassung)

• Teilenummer: SCT4036DTWHRTCR
• Drain-Source-Spannung: 750 V
• Drain-Source Einschaltwiderstand (typ.): 36 mΩ
• Generation: 4th Gen (Trench)
• Drainstrom (Referenz): 40 A
• Gesamtverlustleistung: 128 W
• Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C
• Lagerbereich: -40 bis 175 °C
• Gehäuse: TSC3PAK (Oberflächennahme Wärmeableitung)
• Gehäusemaß: 14.0 x 18.58 mm (t ≈ 3.625 mm)
• Verpackung: Taping; Stückzahl pro Rolle: 600; Mindeststückzahl: 600
• RoHS: Ja; MSL: 1

Anwendungen

• Onboard-Ladegeräte (OBC) für xEV
• Elektrische Kompressoren für xEV
• PV-Wechselrichter
• Hochleistungs-Server- und Telekom-Netzteile