Siliziumkarbid-MOSFET SCT4020DTW

SiCHochgeschwindigkeitHochspannungs-Widerstand

Produktbeschreibung
Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-SMD-Gehäuse mit Oberseiten-Wärmeableitung. Die obere Wärmeableitungsfläche ermöglicht die automatische Bestückung und erreicht eine vergleichbare thermische Leistung wie Einsteckgehäuse. ROHM’s proprietäre Grabenstruktur sichert einen Kriechweg von 6,66 mm und unterstützt 1200 V AC-Peak in Umgebung mit Verschmutzungsgrad 2. Das Bauteil nutzt ROHM 4th Generation (Trench) SiC MOSFET-Technologie für niedrigen Rds(on) und hohe Schaltgeschwindigkeit, was Schaltverluste reduziert und die Effizienz in Leistungswandlern verbessert. Typische Anwendungen sind Onboard-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs, PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.

Wesentliche Punkte

• SMD SiC-MOSFET im TSC3PAK mit Oberseitenkühlung.
• ROHM-Graben gewährleistet min. 6,66 mm Kriechweg für 1200 V AC-Peak (Verschmutzungsgrad 2).
• 4th Gen (Trench): niedriger Rds(on) und schnelle Schaltvorgänge.

Eigenschaften

• Großer Kriechweg: min. 6,66 mm
• Niedriger Einschaltwiderstand (typ. 20 mΩ)
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit und schnelle Sperrerholung
• Einfach zu parallelisieren und leicht anzusteuern
• Blei-freie Lötanschichtung; RoHS-konform

Verpackung / Lieferinformationen

• Teilenummer: SCT4020DTWTCR
• Status: Recommended
• Gehäuse: TSC3PAK (Oberseitenkühlung)
• Verpackungsart: Taping
• Einheiten pro Rolle: 600
• RoHS: Ja
• MSL: 1

Anwendungen

• Onboard-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs (STANDARD GRADE — nicht empfohlen für sicherheitskritische Automotive-Anwendungen)
• PV-Wechselrichter und Server-Stromversorgungen

Dokumente & Modelle (Auswahl)

• Datenblatt verfügbar
• SPICE / PLECS / PSIM Simulationsmodelle verfügbar

Technische Spezifikationen

• Drain‑Source Spannung: 750 V
• Drain‑Source Einschaltwiderstand (Typ.): 20 mΩ
• Generation: 4th Gen (Trench)
• Drain-Strom: 69 A
• Totale Verlustleistung: 208 W
• Junction-Temperatur (Max.): 175 °C
• Lagerungstemperatur: -40 °C bis 175 °C
• Gehäusegröße: 14.0 x 18.58 mm (t = 3.625 mm)