Hochspannungs-Widerstand-MOSFET SCT4036DTW

HochgeschwindigkeitSiCHalbleiter

Übersicht
Der SCT4036DTW ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-SMD-Gehäuse mit oberer Wärmeableitung. Die Wärmedissipationsfläche auf der Gehäuseoberseite ermöglicht die automatisierte SMD-Bestückung bei thermischer Leistung, die mit bestimmten Through‑Hole-Gehäusen vergleichbar ist. ROHMs proprietäre Grabenstruktur sichert eine Kriechstrecke von 6,66 mm und unterstützt in Verschmutzungsgrad‑2‑Umgebungen AC-Spitzenspannungen bis 1200 V für ein zuverlässiges Isolationsdesign. Die 4. Generation SiC MOSFET‑Technologie von ROHM bietet niedrigen Rds(on) und Hochgeschwindigkeitsumschaltung zur Reduzierung von Schaltverlusten und zur Verbesserung der Wirkungsgrade. STANDARD GRADE Produkt; nicht empfohlen für sicherheitskritische Automotive‑Anwendungen.

Hauptmerkmale

• Große Kriechstrecke: min. 6,66 mm (unterstützt 1200 V AC‑Spitze, Verschmutzungsgrad 2)
• Niedriges Rds(on): Typ. 36 mΩ zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit und schnelle Rückwärtswiederherstellung zur Verringerung von Schaltverlusten
• Einfaches Parallelschalten zur Erhöhung der Stromkapazität
• Einfache Gate‑Treiber‑Charakteristik für unkomplizierte Integration
• Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS‑konform

Gehäuse & Montage
TSC3PAK‑SMD‑Gehäuse mit oberer Wärmeableitung (Wärmefläche oben am Gehäuse). Ermöglicht automatisierte SMD‑Bestückung und erzielt thermische Leistung, die mit bestimmten Through‑Hole‑Gehäusen vergleichbar ist. Die proprietäre Grabenstruktur sichert die Kriechstrecke für das Isolationsdesign in Verschmutzungsgrad‑2‑Umgebungen.

Anwendungen

• On‑Board‑Ladegeräte und elektrische Kompressoren für xEVs (STANDARD GRADE; nicht empfohlen für sicherheitskritische Automotive‑Anwendungen)
• PV‑Wechselrichter
• Hochleistungs‑Servernetzteile und industrielle Leistungsumwandlung

Technische Daten

• Teilenummer: SCT4036DTWTCR
• Modellbezeichnung: SCT4036DTW
• Marke: ROHM
• Drain‑Source Spannung (Vds): 750 V
• Drain‑Source Einschaltwiderstand (Typ.) Rds(on): 36 mΩ
• Generation: 4th Gen (Trench)
• Drainstrom (Id): 40 A
• Gesamtverlustleistung: 128 W
• Junction‑Temperatur (Max.): 175 °C
• Lagerungstemperatur: -40 °C bis 175 °C
• Gehäuse: TSC3PAK (14,0 x 18,58 mm, t = 3,625 mm)
• Verpackung: Taping; Stückzahl pro Einheit: 600; Minimale Verpackungsmenge: 600
• RoHS: Ja; MSL: 1