SiC-MOSFET SCT4018KTWHR

Siliziumkarbidfür AutomobilanwendungenHochgeschwindigkeit

Übersicht
Dieser SiC‑MOSFET ist im TSC3PAK‑Gehäuse ausgeführt, einem SMD‑Package mit oberer Wärmeableitungsfläche, das automatisierte Bestückung ermöglicht und thermische Leistungen vergleichbar mit TO‑247‑4L Durchsteckgehäusen erzielt. ROHMs proprietäre Rillenstruktur stellt einen Kriechweg von 6,66 mm sicher und unterstützt eine AC‑Spitzenspannung von 1200 V in Verschmutzungsgrad‑2‑Umgebungen. Das Bauteil bietet niedrigen RDS(on) und schnelles Schalten zur Reduzierung von Schaltverlusten und zur Effizienzsteigerung in Leistungswandlerschaltungen. Typische Anwendungen sind Bordlader (OBC), elektrische Kompressoren in xEVs, PV‑Wechselrichter und leistungsfähige Server‑Netzteile.

Entwicklungshintergrund
Der Einsatz von SiC erweitert sich von Hauptinvertern zu Hilfsleistungsumrichtern (z. B. OBC, elektrische Kompressoren), um Ladezeiten zu verkürzen und Reichweiten zu erhöhen. Herkömmliche SiC‑Bauteile nutzten Durchsteckgehäuse zur Wärmeableitung, was die automatische Bestückung und flache Bauformen einschränkte. Dieses Produkt erreicht Durchsteck‑vergleichbare thermische Leistung in einem SMD‑Format und ermöglicht damit automatisierte Montage und verbesserte Leiterplattenzuverlässigkeit.

Anwendungsbeispiele

• Automotive: Bordlader (OBC)
• Automotive: elektrische Kompressoren (xEV)
• Erneuerbare Energien: PV‑Wechselrichter
• Rechenzentren: Server‑Netzteile

Eigenschaften

• Qualifiziert nach AEC‑Q101 (Automotive Grade)
• Großer Kriechweg: min. 6,66 mm
• Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on))
• Hohe Schaltgeschwindigkeit
• Schnelle Sperrverzögerung (Reverse recovery)
• Einfach parallelisierbar
• Einfache Gate‑Ansteuerung
• Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS konform

Technische Daten

• Teilenummer: SCT4018KTWHRTCR
• Handelsbezeichnung: SCT4018KTWHR
• Status: Recommended
• Gehäuse: TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm)
• Verpackungsart: Taping
• Einheitenmenge: 600
• Mindestverpackungsmenge: 600
• RoHS: Yes
• MSL: 1
• Drain‑Source‑Spannung (V): 1200
• Drain‑Source Einschaltwiderstand (Typ.) (mΩ): 18
• Generation: 4th Gen (Trench)
• Drainstrom (A): 79
• Gesamtverlustleistung (W): 294
• Junction‑Temperatur (Max.) (°C): 175
• Lager‑Temperatur (Min.) (°C): -40
• Lager‑Temperatur (Max.) (°C): 175
• Gehäusegröße (mm): 14,0 × 18,58 (t = 3,625)
• Gängiger Standard: AEC‑Q101 (Automotive Grade)