SiC-MOSFET SCT4050KTWHR

für AutomobilanwendungenHochspannungs-WiderstandHochgeschwindigkeit

Produktübersicht
Dieses Bauteil ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-SMD-Gehäuse. Die oberseitige Wärmeableitungsstruktur platziert die wärmeführende Fläche auf der Gehäuseoberseite, wodurch automatische Bestückung möglich ist und gleichzeitig eine mit Durchsteckgehäusen vergleichbare Wärmeableitung erzielt wird. ROHMs proprietäre Rillenstruktur stellt eine Kriechstrecke von 6,66 mm sicher und unterstützt eine AC-Spitzenspannung von 1200 V in Verschmutzungsstufe 2. Das Bauteil verwendet ROHMs 4. Generation SiC-MOSFET (Trench) zur Erzielung niedriger Rds(on)-Werte und schneller Schaltvorgänge, wodurch Schaltverluste reduziert und die Effizienz in Leistungswandlern verbessert wird.

Eigenschaften

• Qualifiziert nach AEC-Q101 (Automotive Grade)
• Große Kriechstrecke: min. 6,66 mm
• Niedriger Drain-Source-On-Widerstand (Rds(on))
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit und geringe Schaltverluste
• Schnelle Sperrverhalten (Reverse recovery)
• Einfach parallelisierbar zur Stromvergrößerung
• Einfache Gate-Ansteuerung
• Bleifreie Anschlussveredelung; RoHS-konform

Anwendungen

• Automotive: Onboard-Charger (OBC), elektrische Kompressoren
• PV-Wechselrichter
• Hochleistungs-Server- und Telekom-Netzteile

Technische Daten

• Bestellnummer (Seitenvariante): SCT4050KTWHRTCR
• Modellbezeichnung: SCT4050KTWHR
• Gehäuse: TSC3PAK (oberseitige Wärmeableitung)
• Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
• Drain-Strom (Id): 31 A
• Drain-Source-On-Widerstand (Typ.) (Rds(on)): 50 mΩ
• Generation: 4th Gen (Trench)
• Max. Verlustleistung: 128 W
• Max. Junction-Temperatur (Tj max): 175 °C
• Lagerungstemperatur: -40 °C bis 175 °C
• Gehäuseabmessungen: 14.0 x 18.58 mm (t = 3.625 mm)
• Verpackungsart: Taping
• Stückzahl / Mindestpackungsmenge: 600
• RoHS: Yes
• MSL: 1
• Gemeinsamer Standard: AEC-Q101 (Automotive Grade)
• Status: Recommended

Verpackung & Hinweise
Das TSC3PAK ist für oberseitige Wärmeableitung optimiert und ermöglicht die automatische Bestückung bei thermischer Leistung vergleichbar mit Durchsteckgehäusen. ROHM stellt Datenblätter und Applikationshinweise zur thermischen Auslegung und Parallelschaltung bereit.