Siliziumkarbid-MOSFET SCT4018KTW

SiCfür AutomobilanwendungenHochspannungs-Widerstand

Produktbeschreibung
Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Durch die Verwendung einer Oberseiten-Wärmeableitungsstruktur, bei der die Wärmeableitungsfläche auf der Oberseite des Gehäuses liegt, ermöglicht das Produkt eine automatisierte Bestückung und erreicht gleichzeitig eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Through-Hole-Gehäusen vergleichbar ist. Das Gehäuse integriert ROHMs proprietäre Grabenstruktur zur Sicherung einer Kriechstrecke von 6,66 mm, wodurch eine Unterstützung einer AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen mit Verschmutzungsgrad 2 möglich ist, bei gleichzeitiger Kompatibilität mit marktüblichen Produkten. Das Produkt verwendet ROHMs SiC-MOSFET der 4. Generation, der niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeiten bietet, wodurch Schaltverluste in Leistungsumwandlungen reduziert und die Effizienz erhöht werden.

Gehäuse / Technischer Ansatz
TSC3PAK-Oberflächenmontagegehäuse mit Oberseiten-Wärmeableitung; Grabenstruktur zur Sicherung einer großen Kriechstrecke (min. 6,66 mm), die die Unterstützung einer AC-Spitzenspannung von 1200 V in Verschmutzungsgrad-2-Umgebungen ermöglicht. Entwickelt, um die Wärmeableitungsleistung von Through-Hole-Gehäusen mit den Vorteilen der automatisierten Bestückung zu kombinieren.

Eigenschaften

• Große Kriechstrecke: min. 6,66 mm
• Niedriger RDS(on) (Typ. 18 mΩ)
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit
• Schnelle Rückwärtserholung
• Einfach parallel zu schalten
• Einfach anzusteuern
• Blei-freie Lötbeschichtung; RoHS-konform

Anwendungsbeispiele

• Onboard-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs
• PV-Wechselrichter
• Server-Netzteile
• Industrielle Geräte, die eine hocheffiziente Leistungsumwandlung erfordern

Technische Spezifikationen

• Teilenummer: SCT4018KTWTCR
• Modell: SCT4018KTW
• Drain-Source-Spannung (V): 1200
• Drain-Source Einschaltwiderstand (Typ.) (mΩ): 18
• Generation: 4th Gen (Trench)
• Drainstrom (A): 79
• Totale Verlustleistung (W): 294
• Junction-Temperatur (Max.) (°C): 175
• Lagerungstemperatur (Min./Max.) (°C): -40 / 175
• Gehäuse: TSC3PAK (Oberseiten-Wärmeableitung)
• Gehäuseabmessungen (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Verpackungsart: Taping
• Stückzahl: 600
• Mindestpaketmenge: 600
• RoHS: Ja
• MSL: 1