Hochspannungs-Widerstand-MOSFET SCT4050KTW

HochgeschwindigkeitSiliziumkarbidSiC

Produktübersicht
Dieser Baustein ist ein 1200 V, 31 A Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, Modell SCT4050KTW, im TSC3PAK-SMD-Gehäuse. Das Gehäuse verwendet eine Oberseitenkühlung, die eine dem Durchsteckgehäuse vergleichbare Wärmeabfuhr ermöglicht und gleichzeitig die automatische SMD-Bestückung erlaubt. Eine proprietäre Nutstruktur sichert einen großen Kriechstromweg (min. 6,66 mm) und unterstützt 1200 V AC-Spitzenspannung in Verschmutzungsgrad-2-Umgebungen. Das Bauteil bietet niedrigen Einschaltwiderstand und schnelle Schaltvorgänge zur Reduzierung von Schaltverlusten und zur Verbesserung der Leistungseffizienz in Hochspannungsanwendungen.

Gehäuse & Bilder
Gehäuse: TSC3PAK (SMD, Oberseitenkühlung). Geeignet für automatische Bestückung; thermische Leistung nahe der von Durchsteckgehäusen bei kompakter SMD-Bauform.

Eigenschaften

• Großer Kriechstromweg: min. 6,66 mm
• Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on) typ. 50 mΩ)
• Schnelle Schaltcharakteristik
• Schnelle Rückwärts-Erholungszeit
• Leicht parallel schaltbar für höheren Strom
• Einfache Gate-Ansteuerung
• Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform

Anwendungsbeispiele

• Onboard-Ladegeräte (OBC) und elektrische Kompressoren in xEV
• PV-Wechselrichter
• Server-Netzteile und industrielle hocheffiziente Stromversorgungen

Teilespezifikationen (Kurzfassung)
Teilenummer | SCT4050KTWTCR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSC3PAK
Verpackungsart | Taping
Einheitenmenge | 600
Minimale Verpackungsmenge | 600
RoHS | Ja
MSL | 1

Merkmale / Technische Spezifikationen

• Modell: SCT4050KTW
• Drain-Source-Spannung (VDS): 1200 V
• Drain-Source Einschaltwiderstand (Typ.): 50 mΩ
• Generation: 4th Gen (Trench)
• Drainstrom (ID): 31 A
• Totale Verlustleistung: 128 W
• Junction-Temperatur (Max.): 175 °C
• Lagerungstemperaturbereich: -40 °C bis 175 °C
• Gehäusegröße (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Gehäusetyp: TSC3PAK (Oberseitenkühlung)