SiC-MOSFET SCT4090KTWHR

SiliziumkarbidSiCSiliziumkarbid

Übersicht
Der SCT4090KTWHR ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-SMD-Gehäuse mit Oberflächenkühlung. Das TSC3PAK erreicht eine Wärmeabfuhr vergleichbar mit TO-247-Through-Hole-Gehäusen und ermöglicht gleichzeitig die automatisierte Bestückung im SMD-Format. ROHMs proprietäre Rillenstruktur gewährleistet einen minimalen Kriechweg von 6,66 mm und unterstützt eine AC-Spitzenspannung von 1200 V in Verschmutzungsgrad 2. Das Bauteil bietet niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit zur Reduzierung von Schaltverlusten und zur Effizienzsteigerung in Leistungselektronik-Schaltungen. Typische Anwendungen: Onboard-Ladegeräte (OBC), elektrische Kompressoren in xEV, PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.

Hauptmerkmale

• Qualifiziert nach AEC-Q101 (Automotive Grade)
• Großer Kriechweg: min. 6,66 mm
• Niedriger Einschaltwiderstand (niedriges RDS(on))
• Hohe Schaltgeschwindigkeit
• Schnelle Sperrerholung
• Leicht parallelisierbar
• Einfache Ansteuerung
• Pb-freie Lötbeschichtung; RoHS-konform

Gehäuse & Mechanik

• Gehäuse: TSC3PAK (SMD mit Oberflächenkühlung)
• Obere Wärmeableitung ermöglicht automatisierte Bestückung mit Wärmeleistung vergleichbar zu TO-247
• Rillenstruktur sichert Kriechweg (6,66 mm) zur Unterstützung von 1200 V AC Spitzenspannung in Verschmutzungsgrad 2
• Gehäusegröße: 14,0 × 18,58 mm (Dicke 3,625 mm)

Anwendungsgebiete

• Automobilanwendungen: Onboard-Ladegeräte (OBC), elektrische Kompressoren
• xEV-Leistungswandlung zur Verbesserung von Ladegeschwindigkeit und Reichweite
• Industrielle Ausrüstung: PV-Wechselrichter, Hochleistungs-Servernetzteile

Design-Ressourcen und ergänzende Informationen
Verfügbare Ressourcen für Design und Verifikation: Produktdatenblatt, SPICE/PLECS/PSIM-Modelle, Application Notes (Monitoring, Snubber-Schaltungen, Unterdrückung paralleler Oszillationen, Gate-Drive-Richtlinien) sowie thermische Design-/Charakterisierungsunterlagen speziell für TSC3PAK und ROHM 4th Generation SiC MOSFETs.

Technische Spezifikationen

• Teilenummer: SCT4090KTWHRTCR
• Status: Empfohlen
• Modell: SCT4090KTWHR
• Drain-Source-Spannung (V): 1200 V
• Drain-Source Einschaltwiderstand (Typ.) RDS(on): 90 mΩ
• Generation: 4th Gen (Trench)
• Drainstrom (ID): 18 A
• Totale Verlustleistung: 81 W
• Junction-Temperatur (Max.): 175 °C
• Lagerungstemperaturbereich: -40 bis 175 °C
• Gehäusegröße: 14,0 × 18,58 mm (t = 3,625 mm)
• Verpackungsart: Taping
• Stückzahl: 600 (Mindestmenge: 600)
• RoHS: Ja
• MSL: 1