Hochgeschwindigkeit-MOSFET SCT4013DTWHR

Hochspannungs-WiderstandSiCfür Automobilanwendungen

Übersicht Dieses SiC‑MOSFET im TSC3PAK-SMD-Gehäuse positioniert die Wärmeableitungsfläche oben auf dem Gehäuse und erreicht damit eine thermische Leistung, die mit Through‑Hole‑Gehäusen vergleichbar ist, während automatisierte Bestückung möglich bleibt. Die proprietäre Rillenstruktur von ROHM gewährleistet eine Mindestkriechstrecke von 6,66 mm und unterstützt AC‑Spitzenspannungen bis 1200 V bei Pollution Degree 2. Geringer RDS(on) und schnelle Schaltvorgänge reduzieren Schaltverluste und verbessern die Effizienz in Leistungskonversionsschaltungen.

Entwicklungs‑hintergrund Die Nutzung von SiC‑Bauelementen weitet sich von Hauptinvertern auf Hilfsleistungswandler (z. B. Onboard‑Ladegeräte, elektrische Kompressoren) aus, um Ladezeiten zu verkürzen und Reichweiten zu erhöhen. Thermisch leistungsfähige SiC‑Bauelemente basierten bislang auf Through‑Hole‑Gehäusen, die für automatisierte Bestückung und niedrige Bauhöhen unpraktisch sind. Dieses Produkt ermöglicht Through‑Hole‑äquivalente Wärmeleistung im SMD‑Format und unterstützt so automatisierte Bestückung und flachere Bauweisen ohne thermischen Kompromiss.

Anwendungsbeispiele

• Automotive: Onboard‑Ladegeräte (OBC), elektrische Kompressoren
• PV‑Wechselrichter
• Server‑Netzteile

Funktionen

• Qualifiziert nach AEC‑Q101 (Automotive Grade)
• Große Kriechstrecke: min. 6,66 mm (Rillenstruktur)
• TSC3PAK mit Top‑Side‑Wärmeableitung für automatisierte Bestückung
• Niedriger RDS(on)
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit
• Schnelle Reverse‑Recovery
• Einfache Parallelschaltung
• Einfache Ansteuerung
• Blei‑freie Anschlusspassung; RoHS‑konform

Teilespezifikationen (Kurz) Teilenummer: SCT4013DTWHRTCR
Status: Empfohlen
Gehäuse: TSC3PAK
Verpackungsart: Taping
Einheitenmenge: 600
Minimale Verpackungsmenge: 600
RoHS: Ja
MSL: 1

Technische Spezifikationen

• Drain‑Source Spannung (V): 750 V
• Drain‑Source Einschaltwiderstand (Typ.) (mΩ): 13 mΩ
• Generation: 4th Gen (Trench)
• Drainstrom (A): 102 A
• Gesamtverlustleistung (W): 294 W
• Junction‑Temperatur (Max.) (°C): 175 °C
• Lagerungstemperatur (Min./Max.) (°C): -40 / 175
• Gehäusegröße (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Standard: AEC‑Q101 (Automotive Grade)
• Große Kriechstrecke ermöglicht 1200 V AC‑Spitze in Pollution Degree 2