MOSFET für Automobilanwendungen SCT4065DTWHR

SiCSiliziumkarbidHochgeschwindigkeit

Übersicht
Der SCT4065DTWHR ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Surface-Mount-Gehäuse, entwickelt für Hochspannungs-Leistungsumwandlung. Das Gehäuse nutzt eine obere Wärmeabfuhrstruktur, bei der die Kühlfläche oben am Gehäuse liegt, was die automatische Bestückung ermöglicht und gleichzeitig eine mit Through-Hole-Gehäusen vergleichbare Wärmeabfuhr bietet. ROHMs proprietäre Rillenstruktur sichert eine Kriechstrecke von 6,66 mm und unterstützt AC-Spitzen bis 1200 V bei Verschmutzungsgrad 2. Das Bauteil bietet niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltvorgänge zur Reduzierung von Schaltverlusten und zur Steigerung von Effizienz und Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen.

Wesentliche Merkmale

• Qualifiziert nach AEC-Q101 (Automotive Grade)
• Große Kriechstrecke: min. 6,66 mm (unterstützt 1200 V AC Spitze bei Pollution Degree 2)
• Niedriger Drain-Source Einschaltwiderstand (RDS(on) typ. 65 mΩ)
• Schnelle Schaltvorgänge und reduzierte Schaltverluste
• Schnelle Rückwärtswiederherstellung
• Einfaches Parallelschalten zur Erhöhung des Stromvermögens
• Einfache Gate-Ansteuerung
• Blei-freie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform

Gehäuse & mechanische Merkmale

• TSC3PAK SMD-Gehäuse mit Oberflächen-Wärmeabfuhr, das ähnliche thermische Leistung wie Through-Hole-Gehäuse bietet und automatische Bestückung ermöglicht
• ROHM-Rillenstruktur sichert Kriechstrecke (6,66 mm) für eine verbesserte Isolationsgestaltung in Hochspannungsanwendungen
• Gehäuseabmessungen optimiert für hohe thermische Leistung und kompakte SMD-Layout (14,0 × 18,58 mm, t ≈ 3,625 mm)

Anwendungen

• Automotive: Onboard-Charger (OBC), elektrische Kompressoren
• PV-Wechselrichter
• Hochleistungs-Servernetzteile und Telekommunikations-Netzteile

Technische Spezifikationen

• Part Number: SCT4065DTWHRTCR
• Modell: SCT4065DTWHR
• Brand: ROHM
• Drain-Source Spannung (Vds): 750 V
• Drain-Source Einschaltwiderstand (Typ.): 65 mΩ
• Generation: 4th Gen (Trench)
• Drain-Strom (Id): 24 A
• Gesamtverlustleistung: 81 W
• Junction-Temperatur (Max.): 175 °C
• Lager-Temperaturbereich: -40 bis 175 °C
• Gehäuse: TSC3PAK (SMD mit Oberseiten-Wärmeabfuhr)
• Gehäusegröße: 14,0 x 18,58 mm (t = 3,625 mm)
• Verpackungsart: Taping
• Einheitenmenge: 600 (Mindestpackungsmenge: 600)
• RoHS: Yes
• MSL: 1