Siliziumkarbid-MOSFET SCT4026DTWHR

Hochspannungs-Widerstandfür AutomobilanwendungenSiC

Produktübersicht
Bei diesem Bauteil handelt es sich um einen SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse mit Oberflächenkühlung. Durch die Anordnung der Wärmeableitfläche auf der Oberseite des Gehäuses erreicht TSC3PAK eine mit herkömmlichen Durchsteckgehäusen vergleichbare Wärmeableitleistung und ist gleichzeitig für die Bestückung als SMD geeignet. Die proprietäre Nutstruktur gewährleistet einen Kriechweg von 6,66 mm und unterstützt bis zu 1200 V AC-Spitzenspannung in Verschmutzungsumgebungen der Klasse 2. Die 4. Generation der Trench-SiC-Technologie bietet niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltvorgänge zur Effizienzsteigerung in Leistungswandlerschaltungen.

Eigenschaften

• Qualifiziert nach AEC-Q101 (Automotive Grade)
• Großer Kriechweg: min. 6,66 mm
• Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on), Typ. 26 mΩ)
• Schnelle Schaltcharakteristik
• Schnelle Rückwärtserholung
• Einfach parallelisierbar
• Einfache Ansteuerung
• Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform

Gehäuse / Wärmeableitung / Zuverlässigkeit
Das TSC3PAK-Gehäuse mit Oberflächenkühlung ermöglicht die SMD-Bestückung und liefert gleichzeitig eine Wärmeableitung, die mit Through-Hole-Gehäusen vergleichbar ist. Die Nutstruktur sichert einen Kriechweg von 6,66 mm und unterstützt 1200 V AC-Spitzenspannung unter Verschmutzungsgrad 2, wodurch sicherere Isolationskonzepte und höhere Zuverlässigkeit für Hochspannungsanwendungen möglich werden.

Empfohlene Anwendungen

• On-Board-Ladegeräte (OBC) für xEV
• Elektrische Kompressoren (E-Comp) in xEV
• Photovoltaik-(PV-)Wechselrichter
• Server-Netzteile / Rechenzentrums-PSU

Charakteristika / Technische Spezifikationen

• Teilenummer: SCT4026DTWHRTCR
• Status: Empfohlen
• Gehäuse: TSC3PAK
• Verpackung: Taping
• Einheiten pro Rolle: 600
• Minimale Bestellmenge: 600
• RoHS: Ja
• MSL: 1
• Drain-Source-Spannung (V): 750 V
• Drain-Source On-State Resistance (Typ.) (mΩ): 26 mΩ
• Generation: 4th Gen (Trench)
• Drain-Strom (A): 54 A
• Gesamtverlustleistung (W): 163 W
• Junction-Temperatur (Max.) (°C): 175 °C
• Lagerungstemperatur (Min./Max.) (°C): -40 / 175 °C
• Gehäuse-Abmessungen [mm]: 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Kriechweg: min. 6,66 mm (Nutstruktur)
• Standard: AEC-Q101 (Automotive Grade)