Hochspannungs-Widerstand-MOSFET SCT4036KTWHR
SiCSiliziumkarbidfür Automobilanwendungen

Hochspannungs-Widerstand-MOSFET - SCT4036KTWHR - ROHM Semiconductor - SiC / Siliziumkarbid / für Automobilanwendungen
Hochspannungs-Widerstand-MOSFET - SCT4036KTWHR - ROHM Semiconductor - SiC / Siliziumkarbid / für Automobilanwendungen
Hochspannungs-Widerstand-MOSFET - SCT4036KTWHR - ROHM Semiconductor - SiC / Siliziumkarbid / für Automobilanwendungen - Bild - 2
Zu meinen Favoriten hinzufügen
Zum Produktvergleich hinzufügen

Eigenschaften

Merkmal
Hochspannungs-Widerstand, SiC, Siliziumkarbid, für Automobilanwendungen, Hochgeschwindigkeit
Material
Siliziumkarbid, SiC, Halbleiter

Beschreibung

Produktbeschreibung
Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse mit Top-Side-Wärmeableitung. Das Gehäuse platziert die Wärmeableitungsfläche oben und erzielt dadurch eine Wärmeableitungsleistung, die mit TO-247-ähnlichen Durchsteckgehäusen vergleichbar ist, während es die automatisierte Oberflächenmontage ermöglicht. Die proprietäre Rillenstruktur sichert einen Kriechweg von 6,66 mm und unterstützt eine AC-Spitzenspannung von 1200 V in Verschmutzungsgrad-2-Umgebungen. Die 4. Generation (Trench) liefert niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltvorgänge zur Reduzierung von Schaltverlusten und zur Verbesserung der Effizienz in Leistungswandlungsschaltungen.

Kurzinformation
  • Teilenummer: SCT4036KTWHRTCR
  • Status: Empfohlen
  • Gehäuse: TSC3PAK
  • Verpackungsart: Taping
  • Einheiten pro Rolle: 600
  • Mindeststückzahl: 600
  • RoHS: Ja
  • MSL: 1


Eigenschaften
  • Qualifiziert nach AEC-Q101 (Automotive Grade)
  • Breiter Kriechweg: min. 6,66 mm
  • Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on))
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit
  • Schnelle Sperrverzögerung
  • Einfach parallelisierbar
  • Leicht ansteuerbar
  • Blei-freie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform


Gehäuse / Thermik
TSC3PAK: Oberflächenmontiertes Gehäuse mit Top-Side-Wärmeableitung und Rillenstruktur zur Sicherung des Kriechwegs (6,66 mm). Bietet eine Wärmeableitung vergleichbar mit TO-247-Klasse Durchsteckgehäusen und ermöglicht automatisiertes Bestücken sowie reduzierte Montagekosten bei hoher Zuverlässigkeit.

Anwendungen
  • Automotive: Onboard-Ladegeräte (OBC), elektrische Kompressoren für xEVs
  • Photovoltaik (PV)-Wechselrichter
  • Hochleistungs-Server-Netzteile und andere Hochspannungs-/Hocheffizienz-Leistungswandlungssysteme


Technische Daten
  • Modell: SCT4036KTWHR
  • Drain-Source-Spannung (V): 1200
  • Drain-Source Einschaltwiderstand (Typ.) (mΩ): 36
  • Generation: 4th Gen (Trench)
  • Drainstrom (A): 41
  • Totale Verlustleistung (W): 163
  • Gehäusetemperatur (Max.) (°C): 175
  • Lagerungstemperatur min. (°C): -40
  • Lagerungstemperatur max. (°C): 175
  • Gehäusegröße (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
  • Norm: AEC-Q101 (Automotive Grade)
  • Gehäuse: TSC3PAK (Top-Side-Wärmeableitung)
  • Verpackungsart: Taping
  • Einheiten pro Rolle: 600
  • Mindeststückzahl: 600
  • RoHS: Ja
  • MSL: 1

Kataloge

Für dieses Produkt ist kein Katalog verfügbar.

Alle Kataloge von ROHM Semiconductor anzeigen

Messen

Sie können diesen Hersteller auf den folgenden Messen antreffen

electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle C3 - Stand 520

  • Mehr Informationen

    Weitere Produkte von ROHM Semiconductor

    SiC-Leistungshalbleiter

    * Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.
    Über DirectIndustry
    DirectIndustry ist ein Marktplatz, der B2B-Akteuren ein umfassendes Erlebnis bietet, von der Produktbeschaffung bis zum Kauf. DirectIndustry ist eine Einheit der VirtualExpo Group.