Hochspannungs-Widerstand-MOSFET SCT4027KTWHR

HochgeschwindigkeitSiliziumkarbidfür Automobilanwendungen

Übersicht
Dieser SiC-MOSFET im TSC3PAK-SMD-Gehäuse verfügt über eine Oberseiten-Wärmeableitung und bietet thermische Leistungen, die mit Through-Hole-Gehäusen vergleichbar sind, bei gleichzeitiger Eignung für automatisierte SMD-Bestückung. ROHMs proprietäre Nutstruktur sichert eine minimale Kriechstrecke von 6,66 mm und unterstützt eine Wechselspannungsspitze von 1200 V in Verschmutzungsgrad-2-Umgebungen. Das Bauteil besitzt niedrigen Rds(on) und hohe Schaltgeschwindigkeit zur Reduktion von Schaltverlusten.

Entwicklungshintergrund
Da SiC zunehmend in Leistungswandlern (z. B. On-Board-Ladegeräte und elektrische Kompressoren) und in Industrieanlagen mit hohem Wirkungsgrad eingesetzt wird, besteht Bedarf an SMD-SiC-Bauteilen, die automatisierte Bestückung, niedriges Profil und durchsteck-kompatible Wärmeleistung vereinen. Der SCT4027KTWHR erfüllt diese Anforderungen durch die Kombination von TSC3PAK-Top-Cooling und ROHMs 4. Generation Trench-Technologie.

Anwendungsbeispiele

• Automotive: On-Board-Ladegeräte (OBC), elektrische Kompressoren
• PV-Wechselrichter
• Server- und Hochleistungs-Netzteile

Eigenschaften

• Nach AEC-Q101 qualifiziert (Automotive)
• Großer Kriechweg: min. 6,66 mm (ROHM-Rille)
• Niedriger Rds(on) (Typ. 27 mΩ)
• Schnelle Schalt- und schnelle Rückwärts-Erholungs-Eigenschaften
• Einfach parallel schaltbar und leicht anzusteuern
• Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform

Technische Daten

• Teilenummer: SCT4027KTWHRTCR
• Status: Empfohlen
• Gehäuse: TSC3PAK (Top-Cooling)
• Verpackung: Taping; Einheitenanzahl: 600
• Vds: 1200 V
• Rds(on) typ.: 27 mΩ
• Drainstrom: 54 A
• Max. Verlustleistung: 208 W
• Junction-Temperatur (max): 175 °C
• Lagerungstemp.: -40 bis 175 °C
• Gehäusemaß: 14.0 × 18.58 mm (t = 3.625)
• Standards: AEC-Q101, RoHS; MSL = 1