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Siliziumkarbid-MOSFET SCT4036KTW
Hochspannungs-WiderstandHochgeschwindigkeitSiC

Siliziumkarbid-MOSFET - SCT4036KTW - ROHM Semiconductor - Hochspannungs-Widerstand / Hochgeschwindigkeit / SiC
Siliziumkarbid-MOSFET - SCT4036KTW - ROHM Semiconductor - Hochspannungs-Widerstand / Hochgeschwindigkeit / SiC
Siliziumkarbid-MOSFET - SCT4036KTW - ROHM Semiconductor - Hochspannungs-Widerstand / Hochgeschwindigkeit / SiC - Bild - 2
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Eigenschaften

Merkmal
Siliziumkarbid, Hochspannungs-Widerstand, Hochgeschwindigkeit, SiC
Material
Siliziumkarbid, SiC, Halbleiter

Beschreibung

Produktübersicht
Dieser SiC‑MOSFET im TSC3PAK Surface‑Mount‑Gehäuse bietet niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit für die Hochspannungs-Leistungswandlung. Die Gehäusestruktur mit Oberseitiger Wärmeableitung ermöglicht automatisiertes Bestücken und erreicht eine Wärmeableitungsleistung, die mit klassischen Durchsteckgehäusen (TO-247-4L) vergleichbar ist. Eine Rillenstruktur sichert einen Kriechweg von 6,66 mm und unterstützt eine AC‑Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen mit Verschmutzungsgrad 2.

Gehäuse / Thermisches Design
TSC3PAK Surface‑Mount‑Gehäuse mit oberseitiger Wärmeableitung; Rillenstruktur, die 6,66 mm Kriechweg sicherstellt; Gehäuseabmessungen 14,00 × 18,58 × 3,50 mm; thermische Eigenschaften geeignet für leistungsstarke Anwendungen bei automatisierter Fertigung.

Anwendungen
  • Onboard‑Ladegeräte (OBC) und elektrische Kompressoren in xEVs
  • PV‑Wechselrichter und Energiekonverter
  • Server‑Netzteile und industrielle Leistungs‑Module

Eigenschaften
  • Großer Kriechweg: min. 6,66 mm
  • Niedriger Drain‑Source ON‑Widerstand (Typ. 36 mΩ)
  • Schnelle Schaltvorgänge und reduzierte Schaltverluste
  • Schnelle Rekombination/Reverse Recovery
  • Einfaches Parallelschalten für höhere Ströme
  • Einfache Gate‑Ansteuerung
  • Pb‑freie Anschlussbeschichtung; RoHS‑konform

Technische Daten
  • Teilenummer: SCT4036KTWTCR
  • Modell: SCT4036KTW
  • Status: Empfohlen
  • Gehäuse: TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm)
  • Verpackungsart: Taping
  • Stückzahl pro Einheit: 600
  • Mindestverpackungseinheit: 600
  • RoHS: Yes
  • MSL: 1
  • Drain‑Source Spannung (V): 1200
  • Drain‑Source Einschaltwiderstand (Typ.) (mΩ): 36
  • Generation: 4th Gen (Trench)
  • Drainstrom (A): 41
  • Max. Verlustleistung (W): 163
  • Junction‑Temperatur (Max.) (°C): 175
  • Lagerungstemperatur (Min./Max.) (°C): -40 / 175
  • Gehäusegröße (mm): 14,0 × 18,58 (t = 3,625)

Hinweis
Dieses Produkt ist STANDARD GRADE und wird für automotive Anwendungen, die eine Automotive‑Qualifikation erfordern, nicht empfohlen.

Kataloge

Für dieses Produkt ist kein Katalog verfügbar.

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Messen

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electronica Munich 2026
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10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle C3 - Stand 520

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