ProduktübersichtDieser SiC‑MOSFET im TSC3PAK Surface‑Mount‑Gehäuse bietet niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit für die Hochspannungs-Leistungswandlung. Die Gehäusestruktur mit Oberseitiger Wärmeableitung ermöglicht automatisiertes Bestücken und erreicht eine Wärmeableitungsleistung, die mit klassischen Durchsteckgehäusen (TO-247-4L) vergleichbar ist. Eine Rillenstruktur sichert einen Kriechweg von 6,66 mm und unterstützt eine AC‑Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen mit Verschmutzungsgrad 2.
Gehäuse / Thermisches DesignTSC3PAK Surface‑Mount‑Gehäuse mit oberseitiger Wärmeableitung; Rillenstruktur, die 6,66 mm Kriechweg sicherstellt; Gehäuseabmessungen 14,00 × 18,58 × 3,50 mm; thermische Eigenschaften geeignet für leistungsstarke Anwendungen bei automatisierter Fertigung.
Anwendungen- Onboard‑Ladegeräte (OBC) und elektrische Kompressoren in xEVs
- PV‑Wechselrichter und Energiekonverter
- Server‑Netzteile und industrielle Leistungs‑Module
Eigenschaften- Großer Kriechweg: min. 6,66 mm
- Niedriger Drain‑Source ON‑Widerstand (Typ. 36 mΩ)
- Schnelle Schaltvorgänge und reduzierte Schaltverluste
- Schnelle Rekombination/Reverse Recovery
- Einfaches Parallelschalten für höhere Ströme
- Einfache Gate‑Ansteuerung
- Pb‑freie Anschlussbeschichtung; RoHS‑konform
Technische Daten- Teilenummer: SCT4036KTWTCR
- Modell: SCT4036KTW
- Status: Empfohlen
- Gehäuse: TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm)
- Verpackungsart: Taping
- Stückzahl pro Einheit: 600
- Mindestverpackungseinheit: 600
- RoHS: Yes
- MSL: 1
- Drain‑Source Spannung (V): 1200
- Drain‑Source Einschaltwiderstand (Typ.) (mΩ): 36
- Generation: 4th Gen (Trench)
- Drainstrom (A): 41
- Max. Verlustleistung (W): 163
- Junction‑Temperatur (Max.) (°C): 175
- Lagerungstemperatur (Min./Max.) (°C): -40 / 175
- Gehäusegröße (mm): 14,0 × 18,58 (t = 3,625)
HinweisDieses Produkt ist STANDARD GRADE und wird für automotive Anwendungen, die eine Automotive‑Qualifikation erfordern, nicht empfohlen.