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Siliziumkarbid-MOSFET SCT4065DTWHR
für AutomobilanwendungenHochspannungs-WiderstandSiC

Siliziumkarbid-MOSFET - SCT4065DTWHR - ROHM Semiconductor - für Automobilanwendungen / Hochspannungs-Widerstand / SiC
Siliziumkarbid-MOSFET - SCT4065DTWHR - ROHM Semiconductor - für Automobilanwendungen / Hochspannungs-Widerstand / SiC
Siliziumkarbid-MOSFET - SCT4065DTWHR - ROHM Semiconductor - für Automobilanwendungen / Hochspannungs-Widerstand / SiC - Bild - 2
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Eigenschaften

Merkmal
Siliziumkarbid, für Automobilanwendungen, Hochspannungs-Widerstand, SiC, Hochgeschwindigkeit
Material
Halbleiter, SiC, Siliziumkarbid

Beschreibung

Produktbeschreibung
Dieses Produkt ist ein SiC MOSFET im TSC3PAK-Surface-Mount-Gehäuse mit einer Wärmeabfuhrfläche an der Oberseite des Gehäuses. Die Oberseiten-Wärmeabfuhr ermöglicht die automatische Bestückung und erzielt dabei eine wärmetechnische Leistung, die mit herkömmlichen Through-Hole-Gehäusen (z. B. TO-247-4L) vergleichbar ist. ROHMs proprietäre Rillenstruktur sichert eine Kriechstrecke von 6,66 mm und unterstützt eine AC-Spitzenspannung von 1200 V in Verschmutzungsgrad-2-Umgebungen. Das Bauteil nutzt die 4. Generation der ROHM SiC MOSFET-Technologie (Trench) für niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltvorgänge, wodurch Schaltverluste in Leistungswandlungen reduziert werden.

Eigenschaften
  • Qualifiziert nach AEC-Q101 (Automotive Grade)
  • Große Kriechstrecke: min. 6,66 mm
  • Niedriger Drain-Source-Widerstand in Leitung (RDS(on) typ. 65 mΩ)
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit und schnelle Rückwärts-Erholung
  • Einfach zu parallelisieren und leicht anzusteuern
  • Blei-freie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform

Gehäuse / Thermik
TSC3PAK SMD-Gehäuse mit Oberseiten-Wärmeabfuhr, das thermische Leistungen vergleichbar zu Through-Hole-Gehäusen bietet und gleichzeitig automatische Bestückung erlaubt. Die ROHM-Rillenstruktur stellt die Kriechstrecke sicher und unterstützt ein sicheres Isolationsdesign für Hochspannungsanwendungen.

Anwendungsbeispiele
  • Automobil: Onboard-Charger (OBC), elektrische Kompressoren
  • PV-Wechselrichter
  • Hochleistungs-Servernetzteile und industrielle Leistungswandlung

Technische Daten
  • Teilenummer: SCT4065DTWHRTCR
  • Handelsbezeichnung: SCT4065DTWHR
  • Status: Recommended
  • Drain-Source-Spannung (V): 750 V
  • Drain-Source Einschaltwiderstand (Typ.) (mΩ): 65 mΩ
  • Generation: 4th Gen (Trench)
  • Drainstrom (A): 24 A
  • Gesamtverlustleistung (W): 81 W
  • Junction-Temperatur (Max.) (°C): 175 °C
  • Lagertemperatur (Min. / Max.) (°C): -40 / 175
  • Gehäuse: TSC3PAK
  • Gehäusegröße (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
  • Verpackungsart: Taping
  • Einheitenmenge / Mindestmenge: 600
  • RoHS: Ja
  • MSL: 1
  • Standard: AEC-Q101 (Automotive Grade)

Kataloge

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