ProduktbeschreibungDieses Produkt ist ein SiC MOSFET im TSC3PAK-Surface-Mount-Gehäuse mit einer Wärmeabfuhrfläche an der Oberseite des Gehäuses. Die Oberseiten-Wärmeabfuhr ermöglicht die automatische Bestückung und erzielt dabei eine wärmetechnische Leistung, die mit herkömmlichen Through-Hole-Gehäusen (z. B. TO-247-4L) vergleichbar ist. ROHMs proprietäre Rillenstruktur sichert eine Kriechstrecke von 6,66 mm und unterstützt eine AC-Spitzenspannung von 1200 V in Verschmutzungsgrad-2-Umgebungen. Das Bauteil nutzt die 4. Generation der ROHM SiC MOSFET-Technologie (Trench) für niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltvorgänge, wodurch Schaltverluste in Leistungswandlungen reduziert werden.
Eigenschaften- Qualifiziert nach AEC-Q101 (Automotive Grade)
- Große Kriechstrecke: min. 6,66 mm
- Niedriger Drain-Source-Widerstand in Leitung (RDS(on) typ. 65 mΩ)
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit und schnelle Rückwärts-Erholung
- Einfach zu parallelisieren und leicht anzusteuern
- Blei-freie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
Gehäuse / ThermikTSC3PAK SMD-Gehäuse mit Oberseiten-Wärmeabfuhr, das thermische Leistungen vergleichbar zu Through-Hole-Gehäusen bietet und gleichzeitig automatische Bestückung erlaubt. Die ROHM-Rillenstruktur stellt die Kriechstrecke sicher und unterstützt ein sicheres Isolationsdesign für Hochspannungsanwendungen.
Anwendungsbeispiele- Automobil: Onboard-Charger (OBC), elektrische Kompressoren
- PV-Wechselrichter
- Hochleistungs-Servernetzteile und industrielle Leistungswandlung
Technische Daten- Teilenummer: SCT4065DTWHRTCR
- Handelsbezeichnung: SCT4065DTWHR
- Status: Recommended
- Drain-Source-Spannung (V): 750 V
- Drain-Source Einschaltwiderstand (Typ.) (mΩ): 65 mΩ
- Generation: 4th Gen (Trench)
- Drainstrom (A): 24 A
- Gesamtverlustleistung (W): 81 W
- Junction-Temperatur (Max.) (°C): 175 °C
- Lagertemperatur (Min. / Max.) (°C): -40 / 175
- Gehäuse: TSC3PAK
- Gehäusegröße (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
- Verpackungsart: Taping
- Einheitenmenge / Mindestmenge: 600
- RoHS: Ja
- MSL: 1
- Standard: AEC-Q101 (Automotive Grade)