Hochgeschwindigkeit-MOSFET SCT4018KTW

SiliziumkarbidHochspannungs-WiderstandSiC

Produktübersicht
Dieses Produkt ist ein Siliziumkarbid-(SiC-)MOSFET im TSC3PAK-Oberflächenmontagegehäuse mit oberseitiger Wärmeableitungsstruktur. Die obenliegende Wärmeableitungsfläche erreicht eine mit herkömmlichen Through‑Hole‑Gehäusen vergleichbare thermische Leistung und erlaubt zugleich automatisierte Bestückung. ROHMs proprietäre Grabenstruktur sichert eine Kriechstrecke von mindestens 6,66 mm und unterstützt eine AC‑Spitzenspannung von 1200 V in Verschmutzungsgrad‑2‑Umgebungen. Das Bauteil bietet niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit zur Reduzierung von Schaltverlusten und zur Steigerung der Umwandlungseffizienz.

Eigenschaften

• Große Kriechstrecke: min. 6,66 mm
• Niedriger Drain‑Source‑Einschaltwiderstand (typ. 18 mΩ)
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit und schnelle Rückwärts­erholung
• Einfach parallel zu schalten und einfache Gate‑Ansteuerung
• Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS‑konform

Gehäuse / Abbildungen
TSC3PAK‑Gehäuse (oberseitige Wärmeableitung); Gehäusegröße: 14,0 x 18,58 mm (t = 3,625).

Anwendungen (Beispiele)

• Onboard‑Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs
• PV‑Wechselrichter
• Server‑Netzteile

Teiledaten
Teilenummer | SCT4018KTWTCR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSC3PAK
Verpackungsart | Taping
Einheiten pro Verpackung | 600
Mindestverpackungsmenge | 600
RoHS | Ja
MSL | 1

Spezifikationen

• Drain‑Source‑Spannung (V): 1200
• Drain‑Source Einschaltwiderstand (Typ.) (mΩ): 18
• Generation: 4th Gen (Trench)
• Drain‑Strom (A): 79
• Gesamtverlustleistung (W): 294
• Junction‑Temperatur (Max.) (°C): 175
• Lagerungstemperatur (Min./Max.) (°C): -40 / 175
• Gehäuseabmessungen (mm): 14,0 x 18,58 (t = 3,625)