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MOSFET-Transistormodul SCT2H12NYSchaltLeistungSilizium
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Eigenschaften
- Typ
- MOSFET
- Technologie
- Schalt, Leistung
- Weitere Eigenschaften
- Silizium
- Strom
4 A
- Spannung
1.700 V
Beschreibung
Dies ist ein planarer SiC (Siliziumkarbid)-MOSFET. Zu den Eigenschaften gehören die hohe Spannungsfestigkeit, der geringe ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Kataloge
Industrial Motor Solutions
40 Seiten
Short Form Catalog
308 Seiten
Messen
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