Hochspannungs-Widerstand-MOSFET SCT4018KTW

HochgeschwindigkeitSiCfür Automobilanwendungen

Übersicht
Dies ist ein SiC‑MOSFET der 4. Generation (Trench) im TSC3PAK‑SMD‑Gehäuse mit oberseitiger Wärmeabführung. Die auf der Paketoberseite angeordnete Wärmefläche ermöglicht automatisiertes SMT‑Bestücken bei Wärmeleistungen, die mit Through‑Hole‑Gehäusen vergleichbar sind. Eine proprietäre Grabenstruktur sichert eine Kriechstrecke von 6,66 mm und damit die Unterstützung eines AC‑Spitzenspannungsniveaus von 1200 V in Verschmutzungsgrad‑2‑Umgebungen. Das Bauelement bietet niedrigen RDS(on) und hohe Schaltgeschwindigkeit zur Reduzierung von Schaltverlusten.

Wesentliche Produktdaten
1200 V, 79 A, 9‑poliger SMD SiC‑MOSFET (Trench), TSC3PAK, niedriger RDS(on)

Teiledetails
Teilenummer | SCT4018KTWTCR
Status | Recommended
Gehäuse | TSC3PAK (oberseitige Wärmeabfuhr)
Verpackungsart | Taping
Einheitenmenge | 600
Mindestpackungsmenge | 600
RoHS | Yes
MSL | 1

Eigenschaften

• Große Kriechstrecke: min. 6,66 mm
• Niedriger Einschaltwiderstand (niedriges RDS(on))
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit
• Schnelle Rückwärtserholung
• Leicht parallelisierbar für höhere Ströme
• Einfache Gate‑Ansteuerung
• Blei‑freie Anschlussbeschichtung; RoHS‑konform

Entwicklungs‑Hintergrund
Das TSC3PAK‑Gehäuse positioniert die Wärmeabfuhr auf der Oberseite und kombiniert so hohe thermische Leistung mit SMD‑Kompatibilität für automatisierte Bestückung. Die Grabenstruktur gewährleistet 6,66 mm Kriechstrecke für sichere Isolationskonzepte bei 1200 V AC‑Spitzen in Verschmutzungsgrad‑2‑Umgebungen. In Verbindung mit ROHMs 4. Generation Trench‑SiC‑MOSFET ergibt sich ein niedriger RDS(on) und reduzierte Schaltverluste zur Verbesserung der Umwandlungseffizienz.

Anwendungsbeispiele

• Onboard‑Ladegeräte (xEV OBC)
• Elektrische Kompressoren für xEV
• PV‑Wechselrichter
• Server‑Netzteile und industrielle Hochspannungsanwendungen

Technische Spezifikationen

• Drain‑Source‑Spannung (V): 1200
• Drain‑Source‑Leitungswiderstand (Typ.) (mΩ): 18
• Generation: 4th Gen (Trench)
• Drainstrom (A): 79
• Max. Verlustleistung (W): 294
• Junction‑Temperatur (Max.) (°C): 175
• Lagertemperatur (Min.) (°C): -40
• Lagertemperatur (Max.) (°C): 175
• Gehäuseabmessungen (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Gehäuse: TSC3PAK (oberseitige Wärmeabfuhr)
• Verpackung: Taping; Einheiten: 600; Mindestmenge: 600