SiC-MOSFET SCT4062KTWHR

für AutomobilanwendungenHochgeschwindigkeitSiliziumkarbid

Produktübersicht
Der SiC‑MOSFET SCT4062KTWHR im TSC3PAK wurde für Hochspannungs‑Leistungswandlung und Schaltanwendungen entwickelt. Das Bauteil kombiniert niedrigen ON‑Widerstand mit schneller Schaltfähigkeit zur Reduzierung von Schaltverlusten und erfüllt Zuverlässigkeitsanforderungen für Automotive‑ und Industrieumgebungen.

Gehäuse und Vorteile
TSC3PAK: SMD‑Gehäuse mit Top‑Side‑Wärmeableitung, geeignet für automatische Bestückung und mit thermischer Leistung vergleichbar zu TO‑247‑Durchsteckgehäusen. Die proprietäre ROHM‑Rillenstruktur gewährleistet eine Kriechstrecke von mind. 6,66 mm und unterstützt 1200 V AC‑Spitze in Umgebungen mit Verschmutzungsgrad 2.

Eigenschaften

• Qualifiziert nach AEC‑Q101 (Automotive Grade)
• Große Kriechstrecke: min. 6,66 mm
• Niedriger Drain‑Source ON‑Widerstand (RDS(on) typ. 62 mΩ)
• Schnelle Schaltcharakteristik und schnelle Reverse‑Recovery
• Einfache Parallelschaltung und einfache Ansteuerung
• Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS‑konform

Anwendungsbeispiele

• Automotive: On‑Board‑Charger (OBC), elektrische Kompressoren
• PV‑Wechselrichter und Energieumrichter
• Server‑ und Telekom‑Netzteile

Entwicklungs‑Hintergrund
Entwickelt, um Anforderungen an höhere Effizienz und automatisierte Bestückung zu erfüllen. Dieser SMD‑SiC‑MOSFET erreicht thermische Leistungen auf Durchsteckbauteil‑Niveau und reduziert Bestückungskosten bei gleichbleibend hoher Zuverlässigkeit für xEV‑ und Industrieanwendungen.

Technische Daten

• Teilenummer: SCT4062KTWHRTCR
• Modellbezeichnung: SCT4062KTWHR
• Gehäuse: TSC3PAK (SMD, Top‑Side Wärmeableitung)
• Verpackungsart: Taping
• Stückzahl / Mindestverpackungsmenge: 600
• RoHS: Yes
• MSL: 1
• Drain‑Source Spannung (V): 1200 V
• Drain‑Source ON‑Widerstand (Typ.) (mΩ): 62 mΩ
• Generation: 4th Gen (Trench)
• Drainstrom (A): 25 A
• Max. Verlustleistung (W): 106 W
• Max. Sperrschichttemperatur (°C): 175 °C
• Lagerungstemperatur (°C): -40 bis 175 °C
• Gehäusemaße (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Gemeinsamer Standard: AEC‑Q101 (Automotive Grade)