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MOSFET-Transistormodul SCT4045DW7SchaltSilizium
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Eigenschaften
- Typ
- MOSFET
- Technologie
- Schalt
- Weitere Eigenschaften
- Silizium
- Strom
31 A
- Spannung
750 V
Beschreibung
Der SCT4045DW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile der 4. Generation der SiC-MOSFETs von ROHM
Diese Serie hat einen um 40% geringeren Einschaltwiderstand und einen um 50% geringeren Schaltverlust im Vergleich zu herkömmlichen Produkten. Die 15-V-Gate-Source-Spannung vereinfacht das Anwendungsdesign.
Niedriger On-Widerstand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Schnelle Rückwärtserholung
Leicht zu parallelisieren
Einfacher Antrieb
Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform
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Kataloge
Power Device Catalog
36 Seiten
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.