SMD-Diodenmodule

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Schottky-Diodenmodul
Schottky-Diodenmodul
NST series

Sperrspannung: 45, 100, 150, 200 V

... 175°C TJ-Betrieb Modul mit Mittelabgriff Niedriger Vorwärtsspannungsabfall Schutzring für erhöhte Robustheit und langfristige Zuverlässigkeit Bleifrei (Pb) Entwickelt und qualifiziert für den industriellen Einsatz Anwendungen Beschichtung ...

Schottky-Diodenmodul
Schottky-Diodenmodul
I series

Sperrspannung: 45, 100, 150, 200 V

... 175°C TJ-Betrieb Modul mit Mittelabgriff Niedriger Vorwärtsspannungsabfall Schutzring für erhöhte Robustheit und langfristige Zuverlässigkeit Bleifrei (Pb) Entwickelt und qualifiziert für den industriellen Einsatz Anwendungen Beschichtung ...

SiC-Diodenmodul
SiC-Diodenmodul
SCS210AJHR

Direktspannung: 650 V
Sperrspannung: 650 V

Reduzierte Schaltverluste, Schnellschaltung ermöglicht. (4-Pin-Gehäuse)

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ROHM Semiconductor
Schottky-Diodenmodul
Schottky-Diodenmodul
RB058L150DD

Direktspannung: 150 V
Sperrspannung: 150 V

Der RB058L150DD ist eine hochzuverlässige Schottky-Diode für die Automobilindustrie, geeignet für universelle Gleichrichteranwendungen.

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ROHM Semiconductor
Schottky-Diodenmodul
Schottky-Diodenmodul
RB058L-60DD

Direktspannung: 60 V
Sperrspannung: 60 V

ROHM's Schottky-Gleichrichter-Dioden sind VF und IR niedrig, sehr ESD resistent, erhältlich für PC, Mobiltelefon und viele weitere tragbare Geräte.

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ROHM Semiconductor
Schottky-Diodenmodul
Schottky-Diodenmodul
RBR1VWM30ATF

Direktspannung: 30 V
Sperrspannung: 30 V

Der RBR1VWM30ATF ist eine hochzuverlässige Schottky-Diode mit niedrigem VF, geeignet für universelle Gleichrichteranwendungen.

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ROHM Semiconductor
Schottky-Diodenmodul
Schottky-Diodenmodul
RB058L-40DD

Direktspannung: 40 V
Sperrspannung: 40 V

ROHM's Schottky-Gleichrichter-Dioden sind VF und IR niedrig, sehr ESD resistent, erhältlich für PC, Mobiltelefon und viele weitere tragbare Geräte.

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ROHM Semiconductor
Schottky-Diodenmodul
Schottky-Diodenmodul
RB068L-40DD

Direktspannung: 40 V
Sperrspannung: 40 V

ROHM's Schottky-Gleichrichter-Dioden sind VF und IR niedrig, sehr ESD resistent, erhältlich für PC, Mobiltelefon und viele weitere tragbare Geräte.

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ROHM Semiconductor
Schottky-Diodenmodul
Schottky-Diodenmodul
RB080L-30DD

Direktspannung: 30 V
Sperrspannung: 30 V

ROHM's Schottky-Gleichrichter-Dioden sind VF und IR niedrig, sehr ESD resistent, erhältlich für PC, Mobiltelefon und viele weitere tragbare Geräte.

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ROHM Semiconductor
Schottky-Diodenmodul
Schottky-Diodenmodul
RBR1VWM40ATF

Direktspannung: 40 V
Sperrspannung: 40 V

Der RBR1VWM40ATF ist eine hochzuverlässige Schottky-Diode mit niedrigem VF, geeignet für universelle Gleichrichteranwendungen.

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ROHM Semiconductor
Schottky-Diodenmodul
Schottky-Diodenmodul
RBR1VWM60ATF

Direktspannung: 60 V
Sperrspannung: 60 V

Der RBR1VWM60ATF ist eine hochzuverlässige Schottky-Diode mit niedrigem VF, geeignet für universelle Gleichrichteranwendungen.

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ROHM Semiconductor
Schottky-Diodenmodul
Schottky-Diodenmodul
RBLQ3LAM10TF

Direktspannung: 100 V
Sperrspannung: 100 V

Der RBLQ3LAM10TF ist eine hocheffiziente Schottky-Diode, deren Design den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR verbessert. Trotz seines niedrigen VF erreicht er einen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen. Ideal für Schaltnetzteile, ...

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ROHM Semiconductor
PN-Übergang-Diodenmodul
PN-Übergang-Diodenmodul
RFR30F60PN

Direktspannung: 2,6 V
Sperrspannung: 600 V

... BESCHREIBUNG RFR30F60PN ist eine superschnelle Wiederherstellungsdiode, die in fortschrittlicher planarer Silizium-Epitaxie-Technologie hergestellt wird. Der Prozessparameter und die Vorrichtungsstruktur werden mit optimierter Leistung ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
PN-Übergang-Diodenmodul
PN-Übergang-Diodenmodul
RFR60F30APN

Direktspannung: 0,9 V
Sperrspannung: 300 V

... ALLGEMEINE BESCHREIBUNG RFR60F30APN ist eine ultraschnelle Wiederherstellungsdiode, die in fortschrittlicher planarer Silizium-Epitaxie-Technologie hergestellt wird. Der Prozessparameter und die Vorrichtungsstruktur werden mit optimierter ...

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PN-Übergang-Diodenmodul
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RFR30F40PN

Direktspannung: 1, 1,15 V
Sperrspannung: 400 V

... Merkmal: Ultraschnelle Erholung 175°C Sperrschicht-Betriebstemperatur Hochfrequenzbetrieb Geringe Verlustleistung, weniger RFI und EMI Niedriger IR-Wert Hohe Stoßbelastbarkeit Epitaxialer Chipaufbau ...

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