Hochspannungs-Widerstand-MOSFET SCT4013DTW

SiCHochgeschwindigkeitSiliziumkarbid

Produktübersicht Dieser SiC‑MOSFET wird im TSC3PAK‑Gehäuse (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) als 9‑Pin‑SMD mit Top‑Side‑Wärmeableitung geliefert. Das Gehäusedesign ermöglicht automatische Leiterplattenbestückung und bietet eine Wärmeableitung vergleichbar mit Durchsteckgehäusen der TO‑247‑Klasse. Eine proprietäre Grabenstruktur sichert eine minimale Kriechstrecke von 6,66 mm und unterstützt Wechselspannungs‑Spitzen bis 1200 V in Verschmutzungsgrad‑2‑Umgebungen. Die Baugruppe nutzt ROHMs 4. Generation Trench SiC MOSFET‑Technologie für niedrigen RDS(on) und hohe Schaltgeschwindigkeiten zur Reduzierung von Schaltverlusten und zur Verbesserung der Wandlungseffizienz.

Eigenschaften

• Große Kriechstrecke: min. 6,66 mm (unterstützt AC‑Spitze 1200 V, Verschmutzungsgrad 2)
• Niedriger Einschaltwiderstand (Typ. RDS(on) 13 mΩ)
• Hohe Schaltgeschwindigkeit und verringerte Schaltverluste
• Schnelle Sperrerholzeit
• Einfach parallel schaltbar
• Einfache Gate‑Ansteuerung
• Blei‑freie Lotbeschichtung; RoHS‑konform

Anwendungen

• Onboard‑Ladegeräte (OBC) und elektrische Kompressoren in xEV
• PV‑Wechselrichter und erneuerbare Energieumwandlung
• Server‑Netzteile und Industrieequipment mit Anforderungen an hoch effiziente Leistungswandlung

Produktkennzeichnungen / Verpackung Teilenummer | SCT4013DTWTCR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm)
Verpackungsart | Taping
Stückzahl | 600
Minimale Verpackungsmenge | 600
RoHS | Ja
MSL | 1

Technische Daten

• Modell: SCT4013DTW
• Drain‑Source‑Spannung (Vds): 750 V
• Drain‑Source Einschaltwiderstand (Typ.) RDS(on): 13 mΩ
• Generation / Struktur: 4th Gen (Trench)
• Drainstrom (Id): 102 A
• Totale Verlustleistung: 294 W
• Junction‑Temperatur (Max.): 175 °C
• Lagerungstemperatur: -40 °C bis 175 °C
• Gehäuseabmessungen: 14,0 × 18,58 mm (t ≈ 3,625 mm)
• Gehäusetyp: 9‑Pin‑SMD, TSC3PAK mit Top‑Side‑Wärmeableitung
• Kriechstrecke: min. 6,66 mm (ROHM Grabenstruktur)
• Zielanwendungen: xEV OBC, elektrische Kompressoren, PV‑Inverter, Server‑PSUs