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... Gate-Drive-Richtlinien) sowie thermische Design-/Charakterisierungsunterlagen speziell für TSC3PAK und ROHM 4th Generation
SiC
MOSFETs.
Technische Spezifikationen
- Teilenummer: SCT4090KTWHRTCR
- Status:
ROHM Semiconductor
... Produktbeschreibung
Dieser SiC-
MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse für Surface-Mount-Anwendungen verfügt über eine Oberseiten‑Wärmeableitungsstruktur, bei der die wärmeführende Fläche oben auf dem Gehäuse liegt. Dadurch ist automatisiertes ...
ROHM Semiconductor
... Produktübersicht
Der SiC‑
MOSFET SCT4062KTWHR im TSC3PAK wurde für Hochspannungs‑Leistungswandlung und Schaltanwendungen entwickelt. Das Bauteil kombiniert niedrigen ON‑Widerstand mit schneller Schaltfähigkeit zur Reduzierung ...
ROHM Semiconductor
... Übersicht
Dieser SiC-
MOSFET wird im TSC3PAK-Gehäuse für SMD geliefert und verfügt über eine obenliegende Wärmeableitungsfläche sowie eine proprietäre Nutstruktur, die einen Kriechstromabstand von 6,66 mm gewährleistet. Das Bauteil ...
ROHM Semiconductor
... Produktübersicht
Dieses Bauteil ist ein SiC-
MOSFET im TSC3PAK-SMD-Gehäuse. Die oberseitige Wärmeableitungsstruktur platziert die wärmeführende Fläche auf der Gehäuseoberseite, wodurch automatische Bestückung möglich ist und ...
ROHM Semiconductor
... Übersicht
Dieser SiC-
MOSFET im TSC3PAK-SMD-Gehäuse verfügt über eine Oberseiten-Wärmeableitung und bietet thermische Leistungen, die mit Through-Hole-Gehäusen vergleichbar sind, bei gleichzeitiger Eignung für automatisierte ...
ROHM Semiconductor
... Produktübersicht
Dieser SiC‑
MOSFET im TSC3PAK Surface‑Mount‑Gehäuse bietet niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit für die Hochspannungs-Leistungswandlung. Die Gehäusestruktur mit Oberseitiger Wärmeableitung ...
ROHM Semiconductor
... Produktbeschreibung
Dieses Produkt ist ein SiC-
MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse mit Top-Side-Wärmeableitung. Das Gehäuse platziert die Wärmeableitungsfläche oben und erzielt dadurch eine Wärmeableitungsleistung, die mit TO-247-ähnlichen ...
ROHM Semiconductor
... Produktübersicht
Dieser Baustein ist ein 1200 V, 31 A
Siliziumkarbid (SiC)
MOSFET, Modell SCT4050KTW, im TSC3PAK-SMD-Gehäuse. Das Gehäuse verwendet eine Oberseitenkühlung, die eine dem Durchsteckgehäuse vergleichbare ...
ROHM Semiconductor
... Produktbeschreibung
Dieses Produkt ist ein SiC-
MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer oberen Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche oben auf dem Gehäuse befindet, erreicht TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, ...
ROHM Semiconductor
... Hauptanwendungen von Traktionswechselrichtern Hochspannungs-DC/DC-Wandler Off-Board-Ladegeräte Endprodukte 1200V SiC MOSFET Blanke Würfel Merkmale siC- MOSFET der 3. Generation Hohe Blockierspannung ...
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