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... Überblick
Der R6024WNJ2 ist ein 600 V N‑Kanal PrestoMOS™ Super Junction
MOSFET im flachen Surface‑Mount‑Gehäuse TOLL. Er verbindet niedrigen Durchlasswiderstand mit
schneller Rückwärts‑Erholung (trr) und eignet ...
ROHM Semiconductor
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Der R6055XNJ2 ist ein 600 V Super‑Junction N‑Kanal Leistungs‑
MOSFET, ausgelegt für
Hochgeschwindigkeits‑Schaltanwendungen. Er vereint niedrigen Einschaltwiderstand und
schnelles Schaltverhalten ...
ROHM Semiconductor
... Überblick
Der R6035WNJ2 ist ein 600 V PrestoMOS™ Super Junction N-Kanal
MOSFET im flachen TOLL (MO-299) SMD-Gehäuse. Er verbindet niedrigen Einschaltwiderstand mit schnellen Schalt-/Erholungswerten und eignet sich für hochdichte ...
ROHM Semiconductor
... Produktüberblick
Leistungs-
MOSFET Super Junction, N-Kanal, 600V,
Hochgeschwindigkeits‑Schalttyp im flachen Surface‑Mount‑Gehäuse TOLL (MO-299). Niedriger RDS(on) und verbesserte Admittanz gegenüber der bisherigen ...
ROHM Semiconductor
... Kurzbeschreibung
Der R6038XNJ2 ist ein Super‑Junction N‑Kanal Leistungs‑
MOSFET mit 600 V für
Hochgeschwindigkeits‑Schaltanwendungen. Er bietet niedrigen Einschaltwiderstand und
schnelle Schalteigenschaften ...
ROHM Semiconductor
... Produktübersicht
Der R6020XNJ2 ist ein Super-Junction-Leistungs-
MOSFET für das
Hochgeschwindigkeits-Schalten, 600 V, in einem flachen TOLL-SMD-Gehäuse. Er bietet niedrigen RDS(on) und verbesserte Admittanz gegenüber ...
ROHM Semiconductor
... Produktbeschreibung
Dieser SiC-
MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse für Surface-Mount-Anwendungen verfügt über eine Oberseiten‑Wärmeableitungsstruktur, bei der die wärmeführende Fläche oben auf dem Gehäuse liegt. Dadurch ist automatisiertes ...
ROHM Semiconductor
... Produktübersicht
Der SiC‑
MOSFET SCT4062KTWHR im TSC3PAK wurde für Hochspannungs‑Leistungswandlung und Schaltanwendungen entwickelt. Das Bauteil kombiniert niedrigen ON‑Widerstand mit
schneller Schaltfähigkeit ...
ROHM Semiconductor
... Übersicht
Dieser SiC-
MOSFET wird im TSC3PAK-Gehäuse für SMD geliefert und verfügt über eine obenliegende Wärmeableitungsfläche sowie eine proprietäre Nutstruktur, die einen Kriechstromabstand von 6,66 mm gewährleistet. Das Bauteil ...
ROHM Semiconductor
... AC-Spitzenspannung von 1200 V in Verschmutzungsstufe 2. Das Bauteil verwendet ROHMs 4. Generation SiC- MOSFET (Trench) zur Erzielung niedriger Rds(on)-Werte und schneller Schaltvorgänge, wodurch Schaltverluste reduziert ...
ROHM Semiconductor
... entwickelt, bieten mSiC®
MOSFETs eine stabile Body‑Diode, lange Oxidlebensdauer sowie branchenführende Avalanche‑ und Kurzschlussleistung zur Erhöhung der Systemzuverlässigkeit und Verfügbarkeit.
Hochleistungs‑diskrete SiC‑MOSFETs
Unser ...
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