Hochgeschwindigkeit-MOSFET

für AutomobilanwendungenSiCHochspannungs-Widerstand

Übersicht
Silicon‑Carbide (SiC) mSiC® MOSFETs ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und verbesserte Geräteeffizienz, wodurch Bauteilgrößen reduziert, höhere Sperrspannungen unterstützt und eine ausgeprägte Avalanche‑Fähigkeit bereitgestellt werden. Für Mittel‑ bis Hochspannungs‑Leistungssysteme entwickelt, bieten mSiC® MOSFETs eine stabile Body‑Diode, lange Oxidlebensdauer sowie branchenführende Avalanche‑ und Kurzschlussleistung zur Erhöhung der Systemzuverlässigkeit und Verfügbarkeit.

Hochleistungs‑diskrete SiC‑MOSFETs
Unser mSiC® Portfolio deckt Spannungen von 700 V bis 3,3 kV ab und ist für kompakte, effiziente Leistungsstufen in anspruchsvollen Anwendungen wie Luftfahrt, E‑Mobilität, Industrietriebe und erneuerbare Energieumrichter ausgelegt.

Eigenschaften

• Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur (Tj = 175°C) mit geringer RDS(on)‑Verschiebung über den Temperaturbereich
• Branchenführende Gate‑Oxid‑Stabilität (< 100 mV Vth‑Verschiebung) und lange Gate‑Oxid‑Lebensdauer
• Unclamped Inductive Switching (UIS) Avalanche‑Robustheit (> 100k Pulse)
• Verlängerte Kurzschluss‑Widerstandszeit und stabiles Body‑Diode‑Verhalten

Vorteile

• Ermöglicht höhere Schaltfrequenzen und verbesserte Umwandlungseffizienz
• Höhere Leistungsdichte ermöglicht kleinere, leichtere Systeme
• Erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit unter rauen Bedingungen
• Reduziert in vielen Designs die Notwendigkeit redundanter SiC‑Bauteile
• Reduzierter Kühlaufwand und geringere Systemkosten

Unser Vorteil

• Mehrere Epi‑Quellen und zwei SiC‑Fabriken zur Sicherstellung der langfristigen Versorgung
• Unübertroffene UIS‑Avalanche‑Bewertung und robuste Kurzschlussleistung
• Längste veröffentlichte Gate‑Oxid‑Widerstandszeit
• Kundenorientierte Obsoleszenz‑Praxis zur Unterstützung von Lebenszyklusanforderungen

Demo‑ & Evaluierungs‑Boards

• Einzelkanal‑Diskreter Gate‑Treiber Evaluierungsboard (Beispielplattform)
• Half‑Bridge Evaluierungsboard (Beispielplattform)
• Power Motherboard Fast Evaluation Tool — für Messung von Durch‑/Schaltverlusten, Double‑Pulse‑Tests und Wandler‑Analyse

Anwendungen

• E‑Mobilität und Automotive‑Powertrains (AEC‑Q101‑varianten verfügbar)
• Leistungsumwandlung in erneuerbaren Energien
• Luftfahrt und andere Hochzuverlässigkeits‑Systeme
• Industrielle Motorantriebe, Traktion und Stromversorgungen

Technische Spezifikationen

• Spannungsbereich: 700 V bis 3 300 V
• Maximale Sperrschichttemperatur (Tj): Betrieb bis 175°C unterstützt
• Gate‑Oxid‑Stabilität: < 100 mV Vth‑Verschiebung über die Lebensdauer
• Oxid‑Lebensdauer: > 100 Jahre (veröffentlichte Charakteristik)
• Avalanche (UIS) Robustheit: > 100k Pulse
• Stabile Body‑Diode und robuste Kurzschluss‑Widerstandsfähigkeit
• Automotive‑grade‑Angebote verfügbar (AEC‑Q101 qualifizierte Varianten)