Hochspannungs-Widerstand-MOSFET RS4P063BPHZG

für Automobilanwendungennicht angegeben

Übersicht
Der RS4P063BPHZG ist ein AEC-Q101-geprüfter N-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für sicherheits- und schutzrelevante Schaltungen im Automobilbereich. Er verfügt über einen erweiterten Safe Operating Area (Wide-SOA) und Unterdrückung des Sekundärdurchbruchs, um kurzzeitigen hohen Strom- und Spannungsbelastungen standzuhalten. Im standardisierten HPLF5060-Gehäuse bietet das Bauteil eine gesteigerte SOA-Toleranz gegenüber gleichgroßen Standardprodukten und vereinfacht Ersatzbewertung auf vorhandenen 5060-Layouts.

Hauptmerkmale

• AEC-Q101 qualifiziert
• 100% Avalanche-geprüft
• Wide-SOA (erweiterter Safe Operating Area) mit Unterdrückung des Sekundärdurchbruchs
• Optimiert für kurzzeitige hohe Strom-/Spannungsbelastungen in Fahrzeugsicherheits-/Schutzschaltungen

Entwicklungshintergrund
Die zunehmende Elektrifizierung von Fahrzeugen erfordert MOSFETs, die kurzfristige Hochleistungsbelastungen in Sicherheitssystemen verkraften. ROHM übertrug Wide-SOA-Designmethoden aus Industrie- und Rechenzentrumsprodukten auf diesen Automotive-MOSFET, um die Zuverlässigkeitsanforderungen für Airbag-, Gurtstraffer- und Pyro‑Fuse‑Treiber zu erfüllen.

Anwendungsbeispiele

• Zündkreise für Airbag-Inflatoren
• Steuerkreise für Gurtstraffer
• Treiber für Pyro-Fuse (Batterieabschaltung)
• Weitere sicherheits- und schutzrelevante Kfz-Schaltungen, die kurzzeitigen hohen Strom-/Spannungsbelastungen ausgesetzt sind

Dokumentation & Design-Ressourcen
Vom Hersteller bereitgestellte Ressourcen zur Bewertung und Implementierung umfassen Datenblatt, ESD-/Charakteristikdaten, SPICE-Modelle (elektrisch und thermisch), Anwendungshinweise und thermische Designguides.

Technische Daten

• Part Number: RS4P063BPHZGTCB
• Commercial model: RS4P063BPHZG
• Status: Recommended
• Gehäuse: HPLF5060T5LSAH (5060-Größe)
• Gehäuse-Code: HPLF5060T5LSAH
• Verpackungsart: Taping
• Einheit pro Rolle: 3000
• Mindeststückzahl im Paket: 3000
• RoHS: Yes
• MSL: 1
• Anzahl Anschlüsse: 5
• Polarität: N (N-Kanal)
• Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
• Drain-Strom (Id): 170 A
• RDS(on) (Typ) @ VGS = 10 V: 0.0049 Ω
• Totale Gate-Ladung Qg (Typ): 55 nC
• Leistungsaufnahme (PD): 384 W
• Steuerspannung (empfohlen): 10 V
• trr (Typ): 70 ns
• Montagestil: Surface mount
• Lagerungstemperatur: -55 °C (Min) bis 175 °C (Max)
• Gehäuseabmessungen: 6.0 x 4.9 mm (t = 1.2 mm)
• Standard: AEC-Q101 (Automotive Grade)