- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
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- ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistormodul R6006KND3SchaltLeistung
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Eigenschaften
- Typ
- MOSFET
- Technologie
- Schalt, Leistung
- Strom
6 A
- Spannung
600 V
Beschreibung
Der R6006KND3 ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.
Kataloge
Short Form Catalog
308 Seiten
Power Device Catalog
36 Seiten
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.