MOSFET / nicht angegeben SIR5402DP

Übersicht
N-Kanal 40 V (D-S) MOSFET in TrenchFET® Gen IV-Technologie, ausgelegt für Leistungsschalt- und Inverteranwendungen.

Hauptmerkmale

• TrenchFET® Gen IV Standard-Level MOSFET
• High Vth-Design zur Reduzierung von Störungen und zur Verbesserung der Gate-Stabilität
• Optimales Qgd / Qgs-Verhältnis für effizientes Schalten

Dokumentation

• Datenblatt — N-Kanal 40 V (D-S) MOSFET (SIR5402DP)
• Teilkennzeichnung — Markierungsdetails für PowerPAK® und PowerPAIR® Varianten
• PAD-Pattern — Empfohlene Mindest-PADs für PowerPAK® SO-8 Single
• Anwendungsnote AN821 — Montage- und thermische Hinweise für PowerPAK® SO-8
• Reel-Informationen — Daten zur Rollenverpackung
• Band-Informationen — Tape-Spezifikationen für PowerPAK® SOIC-8
• Gehäuseinformationen — Zeichnungen und Details für PowerPAK® SO-8 (Single/Dual)
• Gehäusezuverlässigkeit — Umwelt- und Gehäusetests für den Lötprozess PowerPAK® SO-8
• Produktzuverlässigkeit — Zuverlässigkeitsdaten des 530MC SG-Prozess
• Auswahlleitfaden — MOSFETs für AI-Server-Stromversorgungslösungen

Zusätzliche Hinweise

• ECAD-Modelle verfügbar zum Herunterladen (Ultra Librarian)
• „Buy Now“ / „Request Sample“-Links auf der Produktseite verfügbar

Spezifikationen

• Modell: SIR5402DP
• Bauteiltyp: N-Kanal MOSFET
• Drain-Source-Spannung (VDS): 40 V (D-S)
• Prozess / Technologie: TrenchFET® Gen IV (Standard-Level)
• Designmerkmale: High Vth zur Störungsreduktion; optimiertes Qgd / Qgs-Verhältnis
• Gehäuseoptionen: PowerPAK® SO-8 und mehrere PowerPAK® / PowerPAIR® Varianten (siehe Gehäusedokumentation)
• Typische Unterlagen: Datenblatt, Teilkennzeichnung, PAD-/Landpattern-Empfehlungen, Montage-/Thermal-Application-Note, Reel/Tape-Verpackungsinfo, Gehäusezeichnungen, Zuverlässigkeitsdaten, Auswahlleitfaden
• Vishay Produktseiten-ID Referenz: 61684