Gate-Treiber / IGBT VO series
MOSFET

Gate-Treiber / IGBT - VO series - VISHAY - MOSFET
Gate-Treiber / IGBT - VO series - VISHAY - MOSFET
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Eigenschaften

Merkmal
IGBT, MOSFET

Beschreibung

Der Photovoltaik-MOSFET-Treiber LH1262CB, LH1262CAC besteht aus zwei LEDs, die optisch mit zwei Fotodioden-Arrays gekoppelt sind. Das Fotodioden-Array bietet eine schwebende Quelle mit ausreichender Spannung und Stromstärke zur Ansteuerung von Hochleistungs-MOSFET transistoren. Die optische Kopplung sorgt für eine hohe E/A-Isolationsspannung. Um den MOSFET auszuschalten, ist ein externer Widerstand (Gate-to-Source) für die Gate-Entladung erforderlich. MERKMALE - Hohe Leerlaufspannung - Hoher Kurzschlussstrom - Isolationsprüfspannung 5300 VRMS - Logik-kompatibler Eingang - Hohe Zuverlässigkeit ANWENDUNGEN - High-Side-Treiber - Halbleiterrelais - Pufferlose Stromversorgung - Steuerung der Stromversorgung - Datenerfassung - ATE - Isoliertes Schalten

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Messen

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ELECTRONICA 2026
ELECTRONICA 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle C4 - Stand 478, 479

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