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... Übersicht
Der R6055XNJ2 ist ein 600 V Super‑Junction N‑Kanal Leistungs‑
MOSFET, ausgelegt für Hochgeschwindigkeits‑Schaltanwendungen. Er vereint niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schaltverhalten in einem kompakten TOLL‑SMD‑Gehäuse ...
ROHM Semiconductor
... Übersicht
Dieser SiC-
MOSFET im TSC3PAK-SMD-Gehäuse verfügt über eine Oberseiten-Wärmeableitung und bietet thermische Leistungen, die mit Through-Hole-Gehäusen vergleichbar sind, bei gleichzeitiger Eignung für automatisierte ...
ROHM Semiconductor
... Produktübersicht
Dieser SiC‑
MOSFET im TSC3PAK Surface‑Mount‑Gehäuse bietet niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit für die Hochspannungs-Leistungswandlung. Die Gehäusestruktur mit Oberseitiger Wärmeableitung ...
ROHM Semiconductor
... Produktbeschreibung
Dieses Produkt ist ein SiC-
MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse mit Top-Side-Wärmeableitung. Das Gehäuse platziert die Wärmeableitungsfläche oben und erzielt dadurch eine Wärmeableitungsleistung, die mit TO-247-ähnlichen ...
ROHM Semiconductor
... Übersicht
Dieser SiC‑
MOSFET ist im TSC3PAK‑Gehäuse ausgeführt, einem SMD‑Package mit oberer Wärmeableitungsfläche, das automatisierte Bestückung ermöglicht und thermische Leistungen vergleichbar mit TO‑247‑4L Durchsteckgehäusen ...
ROHM Semiconductor
... Produktübersicht
Dieses Produkt ist ein Siliziumkarbid-(SiC-)
MOSFET im TSC3PAK-Oberflächenmontagegehäuse mit oberseitiger Wärmeableitungsstruktur. Die obenliegende Wärmeableitungsfläche erreicht eine mit herkömmlichen Through‑Hole‑Gehäusen ...
ROHM Semiconductor
... Produktübersicht
Dieser SiC-
MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse verfügt über eine wärmeableitende Oberfläche an der Oberseite, die eine mit Durchsteckgehäusen vergleichbare thermische Leistung ermöglicht und gleichzeitig das Oberflächenmontage-Design ...
ROHM Semiconductor
... Produktbeschreibung
Dieses Produkt ist ein SiC
MOSFET im TSC3PAK-Surface-Mount-Gehäuse mit einer Wärmeabfuhrfläche an der Oberseite des Gehäuses. Die Oberseiten-Wärmeabfuhr ermöglicht die automatische Bestückung und erzielt ...
ROHM Semiconductor
... Übersicht
Der SCT4036DTW ist ein SiC-
MOSFET im TSC3PAK-SMD-Gehäuse mit oberer Wärmeableitung. Die Wärmedissipationsfläche auf der Gehäuseoberseite ermöglicht die automatisierte SMD-Bestückung bei thermischer Leistung, die mit ...
ROHM Semiconductor
... Kurzbeschreibung
Dieses Produkt ist ein SiC-
MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse mit einer Oberseiten-Wärmeableitungsstruktur. Der TSC3PAK erreicht eine thermische Leistung nahe der herkömmlicher Through-Hole-Gehäuse und ermöglicht gleichzeitig ...
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... Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs im Bare-Die-Format anbieten zu können - optimiert für den Einsatz in Hochleistungsanwendungen wie EV-Traktionswechselrichtern, DC-DC-Wandlern und Off-Board-Ladegeräten. Basierend auf der neuesten Generation ...
... entwickelt, bieten mSiC®
MOSFETs eine stabile Body‑Diode, lange Oxidlebensdauer sowie branchenführende Avalanche‑ und Kurzschlussleistung zur Erhöhung der Systemzuverlässigkeit und Verfügbarkeit.
Hochleistungs‑diskrete SiC‑MOSFETs
Unser ...
... SEMICONDUCTOR CDM2205-800FP ist ein 800 Volt N-Kanal- MOSFET, der für schnell schaltende Hochspannungsanwendungen wie Power Factor Correction (PFC), Beleuchtung und Leistungsumrichter entwickelt wurde. Dieser MOSFET kombiniert ...
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