IGBT-Transistor RGA60TS65HR
Bipolartransistor mit isolierter Gate-ElektrodeIGBTfield stop IGBT

IGBT-Transistor - RGA60TS65HR - ROHM Semiconductor - Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode / IGBT / field stop IGBT
IGBT-Transistor - RGA60TS65HR - ROHM Semiconductor - Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode / IGBT / field stop IGBT
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Eigenschaften

Typ
IGBT, Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode, IGBT, field stop IGBT
Technologie
Leistung, Schalt
Weitere Eigenschaften
Silizium, für die Fahrzeugtechnik
Strom

34 A

Spannung

650 V

Beschreibung

Übersicht
Der RGA60TS65HR ist ein IGBT der 4. Generation mit 650 V Field-stop Trench-Struktur, optimiert für fahrzeugseitige Nebenaggregate und Industrie-Wechselrichter. Durch Überarbeitung der Geräte- und Randstruktur werden die Stromdichte erhöht und Leitungs- sowie Schaltverluste reduziert, was Effizienz und Zuverlässigkeit verbessert. Er erfüllt die AEC-Q101-Anforderung und bietet eine Kurzschlussfestigkeit von 7 μs bei Tj = 25°C.

Produktzusammenfassung
Niedrige Schalt- und Leitungsverlust-IGBT, geeignet für elektrische Kompressoren, HV-Heizer und Invertermodule in Industrieanwendungen, mit ausgeglichenen Eigenschaften zwischen geringen Verlusten und hoher Kurzschlussfestigkeit.

Anwendungsbeispiele
  • Elektrische Kompressoren (Automotive)
  • HV-Heizer im Fahrzeug (PTC-Heizer, Kühlmittelheizer)
  • Wechselrichter für Industrieanlagen


Eigenschaften
  • Qualifiziert nach AEC-Q101 (Automotive Grade)
  • Kurzschlussfestigkeit (tsc): 7 μs
  • Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (niedriges VCE(sat))
  • Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste
  • Blei-freie Beschichtung; RoHS-konform


Spezifikationen
  • Artikelnummer: RGA60TS65HRC11
  • Serie: A: For inverter (tsc 7-10 μs)
  • VCES (Nennspannung): 650 V
  • IC (100°C): 34 A
  • VCE(sat) (Typ.): 1,55 V
  • tf (Typ.): 82 ns
  • tsc (Min.): 7 μs
  • Pd: 170 W
  • BV(CES) (Min.): 650 V
  • Lager-/Betriebstemperatur: -55 °C bis 175 °C
  • Gehäuse: TO-247N
  • Verpackungstyp: Tube
  • Stückzahl: 450
  • Mindestmenge pro Verpackung: 30
  • Gehäuseabmessungen: 21,0 x 16,0 mm (t = 5,2)
  • RoHS: Ja
  • Standard: AEC-Q101 (Automotive Grade)


Verpackung
Standardgehäuse: TO-247N. Verpackung: Tube, Standardmenge 450 Einheiten, Mindestmenge 30 Einheiten. Siehe mechanische Zeichnungen und Verpackungsinformationen für Handling und Wärmedesign.

Entwicklungs-hintergrund
Während in Hochvolt-Traktionsinvertern zunehmend SiC eingesetzt wird, bleiben 650V IGBTs in leistungsschwächeren Nebenaggregaten verbreitet. Dieses Produkt wurde entwickelt, um höhere Effizienz, geringere Baugröße und verbesserte Kurzschlussfestigkeit in Automotive- und Industrieanwendungen zu ermöglichen.

Kataloge

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Messen

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle C3 - Stand 520

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