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IGBT-Transistor STGB8NC60KDT4Schalt
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Schalt
- Strom
8 A
- Spannung
600 V
Beschreibung
Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet.
Alle Merkmale
Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat))
Sehr weiche antiparallele Diode mit schneller Erholung
Niedriges CRES/CIES-Verhältnis (keine Kreuzleitungsempfindlichkeit)
Kurzschlussfestigkeit 10µs
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