- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- IGBT-Transistor
- STMicroelectronics
IGBT-Transistor STGD8NC60KDSchalt
Zu meinen Favoriten hinzufügen
Zum Produktvergleich hinzufügen
Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Schalt
- Strom
8 A
- Spannung
600 V
Beschreibung
Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet.
Alle Merkmale
Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat))
Sehr weiche antiparallele Diode mit schneller Erholung
Niedriges CRES/CIES-Verhältnis (keine Kreuzleitungsempfindlichkeit)
Kurzschlussfestigkeit 10µs
---
Weitere Produkte von STMicroelectronics
Power Transistors
Verwandte Suchbegriffe
- Einpoliger Umschalter
- Technologie-Schalter
- Elektronischer Filter
- Mehrpoliger Umschalter
- Signalverstärker
- Transceiver-Modul
- Elektromechanischer Umschalter
- Drehbarer Umschalter
- Diode
- STMicroelectronics Leistungsverstärker
- Elektronischer Filter / Tiefpass
- STMicroelectronics Transistor
- EMV-Filter
- Elektronischer Verstärker
- Gleichrichterdiode
- Spannungsdiode
- AC-Umschalter
- Hochspannungsdiode
- Diode für Oberflächenmontage
- Spannungsverstärker
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.