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IGBT-Transistor STGD8NC60KDSchalt
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Schalt
- Strom
8 A
- Spannung
600 V
Beschreibung
Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet.
Alle Merkmale
Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat))
Sehr weiche antiparallele Diode mit schneller Erholung
Niedriges CRES/CIES-Verhältnis (keine Kreuzleitungsempfindlichkeit)
Kurzschlussfestigkeit 10µs
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.