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IGBT-Transistor STGW30NC60KDSchalt
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Schalt
- Strom
30 A
- Spannung
600 V
Beschreibung
Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet.
Alle Merkmale
Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat))
Kurzschlussfestigkeitszeit 10 μs
Niedriges Cres/Cies-Verhältnis (keine Querleitungsanfälligkeit)
IGBT in Co-Packung mit ultraschneller Freilaufdiode
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Kataloge
STGW30NC60KD
14 Seiten
Messen
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