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IGBT-Transistor STGW30NC60KDSchalt
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Schalt
- Strom
30 A
- Spannung
600 V
Beschreibung
Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet.
Alle Merkmale
Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat))
Kurzschlussfestigkeitszeit 10 μs
Niedriges Cres/Cies-Verhältnis (keine Querleitungsanfälligkeit)
IGBT in Co-Packung mit ultraschneller Freilaufdiode
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Kataloge
STGW30NC60KD
14 Seiten
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.