NPN-Transistor HD1750FX
LeistungSilizium

NPN-Transistor - HD1750FX - STMicroelectronics - Leistung / Silizium
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Eigenschaften

Typ
NPN
Technologie
Leistung
Weitere Eigenschaften
Silizium
Strom

24 A

Spannung

1.700 V

Beschreibung

Der Baustein verwendet einen Diffused Collector in Planar-Technologie mit "Enhanced High Voltage Structure" (EHVS1), die für hochauflösende CRT-Bildschirme entwickelt wurde. Die neue HD-Produktserie weist eine verbesserte Silizium-Effizienz auf und bringt eine aktualisierte Leistung für die Horizontalablenkungsstufe. Alle Merkmale MODERNSTE TECHNOLOGIE: DIFFUSER KOLLEKTOR "VERBESSERTE GENERATION" EHVS1 WENIGER EMPFINDLICH GEGENÜBER SCHWANKUNGEN DER BETRIEBSTEMPERATUR BREITERES SPEKTRUM AN OPTIMALEN BETRIEBSBEDINGUNGEN VOLLSTÄNDIG ISOLIERTES LEISTUNGSPAKET, DAS DIE ANFORDERUNGEN DER EU-RICHTLINIE ERFÜLLT

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Kataloge

HD1750FX
HD1750FX
8 Seiten

Messen

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EMO 2025
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22-26 Sep. 2025 Hannover (Deutschland)

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    SPS 2025
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    25-27 Nov. 2025 Nürnberg (Deutschland) Halle 4 - Stand 271

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