IGBT-Transistor Leistung
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Leistung
Beschreibung
Eigenschaften:
Einfacher Vergleich wegen des positiven Temperaturkoeffizienten der Aufzustand Spannung
Schroffes Extremlicht lochen durch Resultate des Designs (XPT?) in:
- Kurzschluß veranschlagen für 10µs.
- sehr niedrige Gatteraufladung
- niedrige EMS
- quadratische Gegenmagnetisierung zulässige Arbeitsbereiche (RBSOA) bis zu den Durchbruchsspannungen
Dünne Oblatetechnologie kombiniert mit den SPT Designresultaten in einem konkurrierenden niedrigen VCE (gesessen)
SONIC-FRD? Diode
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